【导读】2025年第三季度，全球DRAM市场迎来强劲复苏。中国台湾存储厂商南亚科单季营收达187.79亿新台币，环比增长78.4%，创近14个季度新高。这一增长主要受益于DRAM价格反弹及供需结构优化，尤其DDR4领域因大厂产能转移出现供应缺口，推动南亚科业绩显著提升。
2025年第三季度，全球DRAM市场迎来强劲复苏。中国台湾存储厂商南亚科单季营收达187.79亿新台币，环比增长78.4%，创近14个季度新高。这一增长主要受益于DRAM价格反弹及供需结构优化，尤其DDR4领域因大厂产能转移出现供应缺口，推动南亚科业绩显著提升。
市场表现：量价齐升驱动营收增长
●营收数据亮眼：南亚科第三季度营收187.79亿新台币（环比增78.4%，同比增130.9%），累计前三季营收364.93亿新台币，同比增32.4%。9月单月营收66.64亿新台币，同比增幅达157.81%，为41个月次高。
●盈利提前转正：8月单月税后纯益8.11亿新台币，年增210.2%，实现扭亏为盈。产能利用率维持100% 满载状态，折旧费用下降进一步优化利润。
行业背景：供需失衡催生涨价潮
●DDR4结构性短缺：三大原厂（三星、SK海力士、美光）将产能转向HBM与服务器DDR5，导致DDR4供应紧张。集邦咨询指出，2025年第四季度一般型DRAM价格预计环比上涨8%~13%，消费级DDR4合约价7月单月涨幅一度超60%。
●利基市场机遇：南亚科抓住DDR4需求窗口，该产品占其营收50%。工控、车载等领域对DDR4仍有3-5年生命周期需求，形成差异化优势。
技术战略：高端转型与制程升级
●产品结构优化：南亚科加速向DDR5与客制化HBM转移，预计2025年DDR5投片比重提升至20%，10纳米级第二代（1B）制程产品占比超30%。
●先进封装布局：与福懋科合作导入3D硅穿孔（TSV） 封装技术，强化高频宽内存解决方案，瞄准AI服务器与边缘计算市场。
未来展望：景气周期延续
●价格上行预期：集邦咨询预测，2026年前DRAM供需紧平衡状态将持续，HBM产能挤压及DDR5替代加速或推动价格进一步上涨。
●法说会焦点：南亚科将于10月13日举行法说会，公布第三季度财报及第四季度指引，市场关注其产能分配与DDR4价格策略。
结语
南亚科第三季业绩爆发印证了DRAM行业结构性复苏的趋势。在AI驱动HBM需求、传统产能紧缩的背景下，公司通过精准卡位DDR4利基市场与高端技术转型，把握周期上行红利。未来，其能否在分层竞争格局中持续扩大份额，取决于制程进阶与客户定制化能力。
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