【导读】在HBM4存储芯片的激烈角逐中，美光科技凭借其卓越的技术实力，以11Gbps的行业领先速度强势突围，打破了SK海力士和三星长期以来的市场主导格局，为AI存储市场注入了新的活力。
在HBM4存储芯片的激烈角逐中，美光科技凭借其卓越的技术实力，以11Gbps的行业领先速度强势突围，打破了SK海力士和三星长期以来的市场主导格局，为AI存储市场注入了新的活力。
此前，业界普遍担忧美光因无法满足英伟达对HBM4速度超过10Gbps的要求，将在竞争中处于劣势。然而，美光用实际行动回应了质疑，不仅成功研发出达到业界最高速度11Gbps的HBM4产品，还已向客户交付了样品，展现了其强大的技术创新能力。
与三星和SK海力士不同，美光在HBM4的研发上采取了自主研发DRAM和Base Die技术的策略，更注重低功耗性能。尽管这一策略曾让外界对美光能否满足高速需求产生疑虑，但美光首席执行官Sanjay Mehrotra明确表示，公司已经准备好了一款既能提供超过11Gbps速度，又能实现最佳能效的产品。
在生产策略上，三星电子采用了领先一代的1c DRAM生产HBM4，并借助4纳米先进晶圆代工技术制造最底层的Base Die；而SK海力士则选择将Base Die的生产外包给台积电。相比之下，美光坚持自主研发，展现了其在技术上的独立性和创新性。
尽管美光的量产时间表晚于三星和SK海力士的预计，但业内分析认为，美光提前进入HBM4市场将产生重大影响。随着HBM4市场的不断扩大，美光有望凭借其技术优势和市场份额实现快速增长。到2026年，美光在HBM市场的份额预计将超过今年，进一步巩固其市场地位。
Sanjay Mehrotra透露，美光计划于明年第二季度开始量产HBM4，并在下半年全面投产。这一举措无疑将加剧HBM4市场的竞争，从原本的SK海力士和三星的双赢局面，转变为三方激烈角逐的新格局。
结语
美光科技在HBM4领域的强势突围，不仅展现了其卓越的技术实力和创新能力，也为AI存储市场带来了新的竞争格局。随着量产时间的临近，美光有望在HBM4市场中占据一席之地，并推动整个行业的持续发展。
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