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三星重启220亿美元晶圆厂:DRAM复苏与AI芯片热潮双轮驱动

发布时间:2025-07-03 责任编辑:lina

【导读】三星电子正加速推进平泽五号工厂(P5)的复工计划,这座停摆两年的超大型晶圆厂有望于2025年10月重启设备安装。项目总投资超30万亿韩元(约220.8亿美元),规划集成DRAM、NAND闪存及定制芯片产线,目标直指人工智能时代的高性能半导体需求。业内分析指出,三星在第六代10nm级DRAM与第五代HBM3E存储器领域的技术突破,成为推动项目重启的核心动力。


三星电子正加速推进平泽五号工厂(P5)的复工计划,这座停摆两年的超大型晶圆厂有望于2025年10月重启设备安装。项目总投资超30万亿韩元(约220.8亿美元),规划集成DRAM、NAND闪存及定制芯片产线,目标直指人工智能时代的高性能半导体需求。业内分析指出,三星在第六代10nm级DRAM与第五代HBM3E存储器领域的技术突破,成为推动项目重启的核心动力。


三星重启220亿美元晶圆厂:DRAM复苏与AI芯片热潮双轮驱动


技术复苏:从低谷到领跑的关键跨越

困境反转:


2023年半导体行业寒冬中,三星内存业务营收同比暴跌32.3%至66.59万亿韩元,运营亏损达14.88万亿韩元,导致P5项目被迫搁置。面对技术路线争议,三星选择暂停投资,专注优化第六代DRAM架构与HBM3E堆叠工艺。


技术突破:


●HBM3E量产突破:2025年三星成功实现12层堆叠的HBM3E存储器量产,带宽达36GB/s,较竞品提升20%,重新夺回高性能存储领域技术话语权;

●第六代DRAM验证:基于10nm级工艺的16Gb DDR5内存完成客户验证,功耗降低30%,时延缩短至15ns,满足AI服务器苛刻需求。


市场驱动:AI芯片千亿赛道催生产能革命


需求爆发:

韩国进出口银行预测,全球AI半导体市场规模将从2022年的411亿美元激增至2028年的1330亿美元,年复合增长率达21.6%。其中,HBM存储器需求预计占AI芯片成本的40%以上。


战略卡位:


●P5工厂将部署极紫外光刻(EUV)产线,月产能规划达10万片晶圆,重点生产HBM3E及AI加速芯片;

●三星同步扩大CXL内存扩展技术投入,目标2026年实现每瓦性能较传统方案提升5倍。


项目现状:从停摆到加速的推进时间表


复工进度

●2025年7月:工程团队进场整理建材,启动基础设施检修;

●2025年10月:首批ASML EUV光刻机等重型设备进场安装;

●2026年Q2:完成产线调试,进入试生产阶段;

●2027年:全面量产,预计贡献年度营收增量超15万亿韩元。


产能规划

P5工厂将采用"多晶圆厂协同"模式,初期聚焦:


●第六代DRAM(10nm级)月产能4万片;

●HBM3E存储器月产能2万片;

●定制化AI芯片(5nm/3nm工艺)月产能1万片。


行业影响:重构半导体竞争格局


技术标杆效应:

三星若按计划实现HBM3E量产,将打破SK海力士在AI存储领域的垄断地位。机构预测,2026年三星在HBM市场的份额有望从目前的25%提升至40%。


产业链联动:

P5项目将带动韩国半导体设备、材料产业链升级,预计拉动三星电子及合作伙伴投资超50万亿韩元,创造就业岗位超2万个。


结语:押注AI时代的半导体基建


三星平泽P5工厂的重启,标志着存储巨头在经历行业低谷后,正以技术突破与产能扩张双重战略抢滩AI半导体红利。随着EUV产线落地与HBM3E量产,三星不仅有望重塑内存市场格局,更将加速AI芯片从云端到边缘的全场景覆盖,为全球半导体产业注入确定性增长动能。


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