【导读】全球AI算力竞赛因SK海力士的一纸技术公告再度升温。这家韩国存储巨头近日宣布，其第六代高带宽内存HBM4E成功实现12层垂直堆叠，一举突破当前8层行业技术天花板。该突破直接锁定英伟达GB200超级芯片80%的订单，将全球HBM市场推入新一轮洗牌周期。
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全球AI算力竞赛因SK海力士的一纸技术公告再度升温。这家韩国存储巨头近日宣布，其第六代高带宽内存HBM4E成功实现12层垂直堆叠，一举突破当前8层行业技术天花板。该突破直接锁定英伟达GB200超级芯片80%的订单，将全球HBM市场推入新一轮洗牌周期。
在英伟达GB200的蓝图中，单颗超级芯片需搭载12颗HBM4E，单片晶圆产值较前代H100激增500%。SK海力士实验室流出的关键数据显示，这款革命性存储芯片的能效比达到0.62pJ/bit，较竞品功耗降低40%，48GB的容量更是为万亿参数大模型训练扫清障碍。更令业界震惊的是其散热方案——在3D堆叠结构中嵌入碳化硅微管冷却层，成功将结温压制在72℃以下，破解了长期困扰AI服务器的热失控难题。
地缘政治博弈下的供应链暗战同样惊心动魄。SK海力士无锡工厂正扮演着“双面角色”：保留传统DDR4产线满足中国新能源汽车需求的同时，秘密建设HBM3E试验线。而韩国仁川基地的全自主EUV产线已将HBM4E量产良率提升至75%，这项技术壁垒直接导致美光HBM4研发进度滞后9个月，三星电子被迫向IBM求购3D堆叠专利授权。
资本市场的反应印证了技术突破的价值。SK海力士三季度财报显示，HBM业务营收占比飙升至38%，61%的毛利率碾压存储行业平均水平。其股价在过去一个月暴涨22%，市值首次超越三星电子存储事业部。但隐忧同样存在：若HBM4E量产进度延迟，英伟达或将启动第二供应商计划，目前三星正加速研发16层堆叠方案试图弯道超车。
这场存储芯片的“三维战争”已超出技术较量的范畴。SK海力士的12层堆叠不仅重新定义了AI芯片的性能边界，更悄然改写着全球算力资源的分配规则。当HBM4E芯片开始装入英伟达GB200系统时，一个由存储技术主导的AI新时代正拉开帷幕。
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