【导读】据台媒工商时报消息，三星、SK海力士、美光的库存离正常水平仍有一段距离，三大原厂扩大减产，NAND Flash及DRAM现货价近期呈价格反弹迹象，存储合约价Q4有望调涨0~10%。
据台媒工商时报消息，三星、SK海力士、美光的库存离正常水平仍有一段距离，三大原厂扩大减产，NAND Flash及DRAM现货价近期呈价格反弹迹象，存储合约价Q4有望调涨0~10%。
业界人士分析，拥有最大市占率的龙头厂三星，决定进一步削减产能利用率至50％，欲使库存尽早正常化，现阶段加大减产，预期效果将于2024年上半年反映。
就DRAM来看， DRAM现货价已于2023年9月初落底，并呈现反弹趋势，其中以DDR5最先反弹，而市场最多库存的DDR4 8G，也已由微幅下滑，转为开始上扬，现在DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨，DRAM谷底周期接近尾声，并且近期已有原厂宣布调升合约价，Q4合约价有机会向上，将有0~5%涨幅。
从市场供需来看，供不应求将加速消耗先前库存，涨价趋势将持续到2024年，业界人士预估，NAND Flash第四季价差持续收敛，并有机会出现货价与合约价黄金交叉，预估第四季产品平均单价涨幅为5～10％。
现在市场大都预期Q4报价上涨并期待双十一的销售。
其实目前存储报价上涨主要来自上游减产，若后续需求没有跟上，将不利报价动能，若需求真的增加，原厂有可能恢复产能，供给增加，使报价要再上涨有难度。就近期而言，减产造成报价反弹，有助内存厂的获利改善。
此外，双十一年度促销即将展开。有存储模组厂商透露，虽然市场消费需求欲振乏力，但受惠近期存储价格上涨，渠道端库存达健康水位，即使短期需求并未明显复苏，但预期上游原厂将延续积极减产策略，使终端增加备货的意愿加强，以确保未来供货稳定。
由于渠道端的库存水位接近见底，且惜售低价囤货的预期心态强烈，不倾向采取激烈促销竞争，因此渠道商乐观预期双十一可望优于618档期的出货表现，延续至2024年春节。
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
推荐阅读：
NAND市场增长，消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级，正备产 236 层 NAND
