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韩国专业晶圆代工厂DB Hitek加大SiC、GaN研发

发布时间:2023-10-23 责任编辑:lina

【导读】韩国专业IC代工厂DB Hitek(东部高科)加大了在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体领域的研发力度,以支持未来的业务增长。


韩国专业晶圆代工厂DB Hitek加大SiC、GaN研发


韩国专业IC代工厂DB Hitek(东部高科)加大了在碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体领域的研发力度,以支持未来的业务增长。


DB Hitek最近的投资旨在提高8英寸晶圆制造能力。尽管如此,据报道称,由于市场复苏缓慢,该代工厂的8英寸晶圆厂运营预计将受到影响,而转向12英寸晶圆厂运营的问题仍然存在。在这种情况下,DB Hitek未来的发展将集中在GaN和SiC等新型功率半导体上。


据报道,该公司最近对下一代GaN和SiC功率半导体的关键设备进行了初步投资,这将加速研发。


据称,拥有8英寸晶圆厂的DB Hitek正计划进军SiC市场,而6英寸晶圆厂仍是该市场的常态。作为政府政策举措的一部分,该专业晶圆厂正在与釜山科技园合作开发碳化硅。


在GaN半导体制造方面,DB HiTek正在与无晶圆厂公司A-PRO Semicon合作,以优化代工工艺。


据该公司网站称,DB HiTek拥有两家晶圆厂,生产350nm至90nm制造节点范围的IC。


DB HiTek位于京畿道富川市的Fab 1生产的芯片解决方案涵盖150nm至350nm的制造节点。混合信号、电源和模拟芯片就是此类解决方案的示例。位于忠清北道阴城郡的Fab 2生产适用于90nm至180nm工艺节点的芯片解决方案。这些解决方案包括混合信号、CMOS图像传感器(CIS)等。


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