【导读】韩国专业IC代工厂DB Hitek（东部高科）加大了在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体领域的研发力度，以支持未来的业务增长。
韩国专业IC代工厂DB Hitek（东部高科）加大了在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体领域的研发力度，以支持未来的业务增长。
DB Hitek最近的投资旨在提高8英寸晶圆制造能力。尽管如此，据报道称，由于市场复苏缓慢，该代工厂的8英寸晶圆厂运营预计将受到影响，而转向12英寸晶圆厂运营的问题仍然存在。在这种情况下，DB Hitek未来的发展将集中在GaN和SiC等新型功率半导体上。
据报道，该公司最近对下一代GaN和SiC功率半导体的关键设备进行了初步投资，这将加速研发。
据称，拥有8英寸晶圆厂的DB Hitek正计划进军SiC市场，而6英寸晶圆厂仍是该市场的常态。作为政府政策举措的一部分，该专业晶圆厂正在与釜山科技园合作开发碳化硅。
在GaN半导体制造方面，DB HiTek正在与无晶圆厂公司A-PRO Semicon合作，以优化代工工艺。
据该公司网站称，DB HiTek拥有两家晶圆厂，生产350nm至90nm制造节点范围的IC。
DB HiTek位于京畿道富川市的Fab 1生产的芯片解决方案涵盖150nm至350nm的制造节点。混合信号、电源和模拟芯片就是此类解决方案的示例。位于忠清北道阴城郡的Fab 2生产适用于90nm至180nm工艺节点的芯片解决方案。这些解决方案包括混合信号、CMOS图像传感器（CIS）等。
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