【导读】当下，存储芯片市场仍处于低迷状态。各大存储芯片企业的最新财报显示，企业利润均在下跌。在产业下行周期，新技术、新产品的诞生往往会成为振奋市场的关键点。DDR5 DRAM作为存储领域的新产品，逐渐成为各大企业竞逐的焦点。例如，近期SK海力士就宣布，公司已经开发出了当前速度最快的移动DRAM “LPDDR5T”。但就目前情况来看，DDR5的市场渗透率还未达到预期，DDR5能否拉动存储行业上扬，仍有待观察。
上下游厂商“惺惺相惜”猛推新品
2020年7月15日，JEDEC固态技术协会正式发布了下一代主流内存标准DDR5 SDRAM的最终规范(JESD79-5)。DDR5作为最新的高带宽电脑存储器规格，被业界视为具备“革命意义”的内存架构。与DDR4相比，DDR5具备更高速度、更大容量与更低能耗。全新DDR5内存的最高传输速率达6.4Gbps，比DDR4内存提升了一倍。这些特性有助于缓解每个核心的带宽紧张难题，可进一步推动CPU内核数量增加，并逐年提升计算能力。由于近期内存市场需求低迷，DDR5被认为是提振市场需求、扩大内存厂商营收的“利器”。
SK海力士一直在加速研发DDR5新产品，以刺激客户淘汰旧产品，扩大市场需求。1月12日，SK海力士宣布，公司研发的第四代10纳米级DDR5服务器DRAM，获得了英特尔全新第四代Xeon服务器处理器兼容认证。SK海力士表示，英特尔的第四代Xeon服务器处理器是存储器半导体行业反弹的关键，SK海力士将把握此次机会，尽早克服存储器半导体的低迷市况。1月25日，SK海力士再次宣布，公司已经开发出当前速度最快的移动DRAM（内存）“LPDDR5T”，并已向客户提供了样品。据介绍，本次产品的速度比现有产品快13%，运行速度高达9.6Gbps。
SK海力士预测，虽然今年上半年的半导体市场情况可能持续低迷，但下半年会出现好转。随着市场需求逐渐回升，IT企业将增加价格大幅下降的存储芯片使用量。。
赛迪顾问集成电路高级分析师杨俊刚对《中国电子报》记者表示，SK海力士推出第四代1α工艺级别的DDR5，单芯片容量高达24Gb，在性能上比前一代DDR5要提升至少70%，功耗最多可降低20%。同时，SK海力士1α工艺级别的DDR5获得了英特尔中央处理器的兼容认可。在SK海力士收购英特尔的存储厂后，双方将进一步加强合作。
三星作为DRAM领域的领先企业，占据DRAM市场40%以上份额，研发DDR5的速度也比较快。早在2020年2月，三星就宣布成功研发出DDR5芯片。2022年12月21日，三星宣布利用12纳米级制程工艺成功开发出16Gb DDR5 DRAM，近期与AMD完成了兼容性测试。三星表示，这款产品是业界最先进的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。
据悉，此次他们推出的16Gb DDR5 DRAM所取得的技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术来实现的。结合先进的多层EUV光刻技术，这款产品拥有三星最高的DDR5 Die密度，可使晶圆生产率提高20%，功耗有望节省约23%，最高支持7.2Gbps的运行速度，这意味着它可以在一秒钟内处理两部30GB超高清电影。12月22日，三星表示，为了抢占逐渐扩大的DDR5市场，计划从明年开始批量生产，并向数据中心和人工智能等领域客户供货。
美光则在1月19日宣布推出新一代DDR5内存模块，产品覆盖DDR5-5200/5600，最高拥有48GB容量的版本。据悉，美光新一代DDR5内存可以支持5200MT/s和5600MT/s的数据传输速率，以及1.1V电压下的CL46延迟，同时兼容AMD EXPO和英特尔XMP 3.0配置文件。该模块在与英特尔处理器兼容上性能提升了49%，配置最高可达48GB。
记者了解到，美光的新DDR5存储模块已在英特尔处理器芯片上完成了认证。美光还与AMD在奥斯汀建立联合服务器实验室，以缩短存储芯片的验证周期。杨俊刚指出，从合作对象来看，三大存储芯片厂商在DDR5方面主要与英特尔和超威半导体服务器处理芯片供应商合作，能够高效提升处理器芯片和存储器芯片之间的兼容性。
服务器DRAM市场复苏速度低于预期
DDR5作为新一代DRAM存储技术，与DDR4相比在传输速率和容量方面出现较大突破。因此，厂商抢先布局DDR5，是构筑自身DRAM技术优势的战略需求。但业界对DDR5 DRAM的市场预期不能太过乐观。
由于预计2023年智能手机出货量增长率与平均搭载容量增长率并不乐观，DRAM供应商自2022年起，将原先分配给移动端DRAM的产能转移至需求前景相对明朗的服务器DRAM，试图减轻移动端DRAM的供需失衡压力。
智能手机运行内存平均搭载容量年增长率自2022年开始明显放缓，主要是因为2022年智能手机厂商有比较大的库存压力，导致新品多以使用既有库存规格为主。随着2023年去库存效果逐渐显现，TrendForce预计移动端DRAM平均搭载容量年增长率约为6.7%，高于2022年3.9%的增长率。
受益于AI与HPC（高性能计算）的带动，服务器DRAM在年出货量增长率与平均搭载容量增长率均高于移动端DRAM，预计也是未来几年DRAM产量比重最高的分类。由于DRAM供应商在去年第三季度下调了服务器DRAM价格，这对出货量的上升也是一个利好条件，TrendForce预计2023年服务器DRAM平均搭载容量年增长率可达12.1%。
服务器DRAM需求的增长通常也伴随着企业级固态硬盘出货量的增加。与服务器DRAM类似，企业级固态硬盘在NAND闪存需求中所占比例也逐渐增大，TrendForce预计在2025年企业级固态硬盘有望成为NAND闪存最大的应用领域。
DDR5并非是存储芯片市场的救命稻草。一方面，受服务器和PC终端市场萎靡影响，去年DRAM存储器市场承压明显，整体市场出现较大下滑，DDR5对比DDR4利润率和溢价空间更大，DDR5渗透率增长将会抬升DRAM整体市场ASP，另一方面，从实际市场情况来看，2022年DDR5对比利基型DRAM（DDR4及以下）市场整体降幅更大，主要原因还是终端需求的萎靡限制了高价格DDR5的渗透和应用推广。同时，DDR5的应用需要CPU芯片的支持，目前已发布的可支持DDR5的CPU产品还比较少，这也是限制DDR5渗透的重要原因。
但也有很多专家认为，DDR5对产品性能、功耗等方面大幅度提升，随着技术不断成熟、成本持续降低，DDR5产品未来应用领域将会继续扩张。
TrendForce集邦咨询分析师吴雅婷就十分看好DDR5的发展。在她看来，随着时间的推移，预计自2023年起，服务器端将逐步导入DDR5，在server新平台的带动下，将会拉高DDR5比重。DDR5有望取代DDR4，DDR5 DRAM将迎来快速普及期，成为市场中供给/采用的主流产品。TrendForce集邦咨询认为，DDR5与DDR4成为主流应用的交会点应该在2024年底前或2025年初。
相信在产品单价、产能达到需求，英特尔和AMD等厂商的积极应用推动下，DDR5将会取代DDR4成为DRAM的主流产品，三家企业在DDR5 DRAM领域的竞争将会变得更加激烈。
来源：贤集网
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
推荐阅读：
