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TE用于消费类电子产品的集成式过压和过流保护器件
消费类电子产品需要强大的电路保护功能,以帮助保护敏感的电子设备避免可能导致代价昂贵的产品返修和质保问题的过压和过流事件。TE推出低高度 (1.0 mm高度) PolyZen CE器件具有业界领先的2.6 A额定电流,是具备显着性能优势的创新型解决方案,超越了使用熔断器、齐纳二极管和其它无源组件的分立式解...
2012-08-29
过压过流保护
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针对发动机压电喷射系统的车用功率MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET,适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
2012-08-20
MOSFET
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采用小尺寸0402 ChipLED封装的多色彩新型超亮LED
近日,Vishay宣布,其光电子产品部发布新系列采用小型表面贴装0402 ChipLED封装的大红、浅橙、黄、嫩绿、蓝色和白色的超亮LED。该系列器件的尺寸为1.0mm x 0.5mm,高0.35mm ,180mcd的发光强度实现了超群亮度。
2012-08-20
LED
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针对超薄设备,具有‘免损毁’插配保护特性新型线对板连接器
全球领先的全套互连产品供应商Molex公司推出新的通孔(through-hole) Micro-Lock单排连接器产品线,用于数据/通信、电信、网络设备和消费电子产品,包括游戏机和LCD及PDP平板显示器的线对板应用。Micro-Lock确立锁闩(positive-lock) 2.00 mm间距连接器具有6.00 mm的低插配侧高和‘免损毁’设计特性,防...
2012-08-16
线对板
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中等电压MOSFET新成员:提高功率密度并增加SMPS效率
提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外,这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案,以便最大限度地减小线路板空间,同时提高效率和降低功耗。有鉴于此,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩展PowerTrench MOSFET系列来帮...
2012-08-16
MOSFET
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Sequans首款LTE基带系统芯片得到中国移动的青睐
4G芯片厂商Sequans公司宣布,很快将向其主要客户提供首款LTE芯片SQN3010的试用品。经过数月的开发,该芯片将首先交付中国移动使用。作为TD-LTE技术的主要倡导者,中国移动选择Sequans为其提供TD-LTE芯片和USB适配器,用于中国移动在上海2010年世博会部署的世界首个TD-LTE示范网。
2012-08-14
LTE-Advanced功放
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创毅推40纳米TD-LTE终端基带芯片WarpDrive5000
近日,创毅正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工艺 WarpDrive 5000芯片。该款芯片支持TD-LTE FDD/TDD共模,采用40纳米工艺,兼容3GPP LTE 标准 (Release-9),采用超低功耗设计,支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换,支持CAT4速率等级,下行高达150Mbps,值得一提的是该款产品是全球第一款支持先...
2012-08-14
LTE-Advanced功放
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联芯科技LC1713 TD-HSPA/GGE Modem基带芯片适用于LTE多模产品
日前,联芯科技推出INNOPOWER®LC1713 TD-HSPA/GGE Modem基带芯片。
2012-08-14
LTE-Advanced功放
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联芯科技业界首款支持ZUC祖冲之算法的LTE多模基带芯片
日前,联芯科技在其2012年度客户大会上,推出TD-LTE/LTE FDD/TD-HSPA/GGE多模芯片LC1761和TD-LTE/LTE FDD双模基带芯片LC1761L。两款芯片为目前业界首款同时支持硬件加速ZUC祖冲之算法,3GPP Release 9和LTE Category 4能力的LTE终端芯片,能率先满足LTE预商用背景下工信部、中国移动对于多模终端芯...
2012-08-14
LTE-Advanced功放
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