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将MOSFET热阻优化至原来小四倍的Dual Cool封装MOSFET
飞兆半导体最新的Dual Cool封装产品,可提升DC-DC电源应用的功率密度和性能，优化后的中压MOSFET的结至环境热阻要比原来小四倍。
2013-01-08
MOSFET
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针对AC-DC电源应用的600V N沟道高压MOSFET
服务器、电信、计算等高端的AC-DC开关模式电源(SMPS)应用以及工业电源应用需要较高的功率密度，因此要获得成功，设计人员需要采用占据更小电路板空间并能提高稳定性的高性价比解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N沟道SuperFET II MOSFET系列产品，帮助设计人员解决这些挑战。
2012-12-13
MOSFET
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比同类竞争ESD保护低80%的箝位电压的新款TVS
新款Littelfuse瞬态抑制二极管阵列为技术尖端的芯片组提供更卓越的保护。该器件规格为0402，节省空间封装，电压5V时的低泄漏电流额定值为0.1μA，可以保护消费电子产品的键盘、按键、开关和低速输入/输出接口免受静电放电的损害
2012-12-11
瞬态电压抑制器/TVS
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推动智能手机最小化潮流的Molex新型Micro-SIM卡插座
全球领先的全套互连产品供应商Molex公司扩展其面向移动设备制造商的micro-SIM卡插座产品系列，推推式micro-SIM卡插座设计用于智能手机、平板电脑、GPS手表和其它的空间受限应用，具有高接触力和先进的卡保持特性，以防止意外弹出。推拉式插座型款具有防短路和卡位极性特性，新的卡屉式(card-tray)型...
2012-12-06
SIM卡连接器
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Littelfuse新款二极管：为USB 3.0和HDMI接口提供ESD保护
全球电路保护领域的领先企业，近日宣布研制出新型 SP3012-06UTG 低电容ESD保护瞬态抑制二极管阵列（SPA器件）。 新产品经过优化，可保护高速数据线的敏感芯片组免受任何外部ESD（静电放电）的破坏。 其典型应用包括LCD/PDP电视、DVD/蓝光播放机、台式电脑、MP3/PMP、机顶盒、智能手机、超级本/笔记...
2012-12-06
瞬变抑制二极管
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Vishay发布4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK 1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.75mm还要低28%，同时保持相同的...
2012-11-29
MOSFET
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小尺寸SOP-4封装集成关机功能的光隔离式MOSFET
Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器，器件采用小尺寸SOP-4封装并集成关机功能，具有8.8V的开路电压和47µA的短路电流，隔离测试电压达4500VRMS。
2012-11-13
MOSFET
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无需外部电源的双向NFC芯片：可缩减一半成本
奥地利微电子推出新的接口芯片AS3953 NFiC提供全双向近场通信功能，并从无线电发射获取能量，并且不需要外部电源，可以帮助系统设计人员仅以不到以前一半的总体成本来集成全双向NFC功能。
2012-11-05
NFC芯片
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Vishay推出17款600V N沟道功率MOSFET
Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列，新的E系列器件具有低至39mΩ的导通电阻和7A～73A电流，采用的超级结技术可实现低FOM和高功率密度，具有8种封装。
2012-10-22
MOSFET
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