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闪迪为中国入门级平板电脑和智能手机市场打造先进存储解决方案
闪迪公司今日面向中国及其他高速增长市场的入门级平板电脑和智能手机发布一款理想的存储解决方案——iNAND™ Standard™嵌入式闪存驱动器(EFD)。利用最新1Y纳米X3 NAND闪存解决方案,原始设备制造商(OEM)可快速推出搭载性能可靠的闪迪存储器的新型入门级数码设备。
2014-05-28
移动存储器
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Littelfuse推出IGBT模块和整流器二极管模块
Littelfuse公司日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值,能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。
2014-05-27
整流二极管
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Vishay 发布8787外形尺寸的新款IHLP®薄外形大电流电感器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布采用8787外形尺寸,额定电流为7A~100A,工作温度高达+155℃的新款IHLP®薄外形大电流电感器。Vishay Dale IHLP-8787MZ-51的最大DCR为0.67mΩ~39.4mΩ,感值为0.47µH~100µH,能提供很高的效率。
2014-05-31
滤波电感
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Vishay发布的可熔断绕线安全电阻能承受6kV浪涌电压
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款5W轴向使用硅水泥的可熔断绕线安全电阻。这颗电阻是业内首个能在过载条件下安全且无声地熔断的电阻,能够承受6kV的浪涌电压(1.2μs/50μs)。Vishay Draloric AC05..CS 采用特殊的不易燃硅水泥涂层,在100W过载下的熔断时间小于45秒,当施加交流电压(...
2014-05-30
浪涌保护器
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Vishay发布非对称双片TrenchFET® Gen IV MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装,使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET。Vishay Siliconix SiZ340DT把高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸封装里,导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%,功率密度高25%,效率高5%,可节...
2014-05-30
MOSFET
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Vishay发布HML新款微型轴向引线的厚膜电阻
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款微型轴向引线的厚膜电阻,可用于助听器和工业应用中用于测试的高频探头。Vishay Techno HML封装在在结实耐用的塑料外壳里,具有1.85mm x 0.91mm超小外形尺寸和良好的高温性能,以及无感设计。
2014-04-29
厚膜电阻
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Vishay发布用于高功率表面贴装射频应用的新款厚膜片式电阻
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布用于高功率表面贴装射频应用的新系列厚膜片式电阻。Vishay Dale RCP系列器件具有1206小外形尺寸,在+70℃和标准印制板贴装情况下的功率等级为1W,采用主动式温度控制后,功率等级可达11W。
2014-05-29
厚膜电阻
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Vishay新款 SMD NTC热敏电阻的R25值最大变化率低至±0.5%
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有更强稳定性的新系列SMD NTC热敏电阻,可用于温度检测和补偿电路。 NTCS....E3...SMT热敏电阻可在-40℃~+125℃温度范围内精确地测量温度,在整个温度范围内工作10000小时后,电阻值相对于+25℃下的初始电阻值(R25)的最大变化率只有±0.5%。
2014-05-27
热敏电阻
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Vishay推出顶视SMD封装并集成镜片的850nm红外发射器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm顶视SMD封装的新款850nm红外发射器,扩大其光电子产品组合。VSMY98545基于SurfLight™表面发射器芯片技术,集成镜片,具有高驱动电流、高发光强度和高光功率,同时具有低热阻。
2014-05-26
红外收发器
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