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奥松电子推出AS200系列质量流量控制器
气体流量的测量值是许多工艺生产的重要参数之一。由于气体的可压缩性，决定了它的流量测量比液体复杂，仪表的输出信号除了与输入信号有关，还与气体密度、温度和压力等因素有关。所以，气体的流量测量普遍存在温压补偿问题。
2023-07-20
其它测试仪器
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JAE推出带有电源端子的小型堆叠式板对板连接器
日本航空电子工业现已开发并销售嵌合高度为0.5mm，端子间距分别为0.3mm和1.6mm，适用于包括智能手表等可穿戴设备的带有电源端子的小型堆叠式板对板（FPC）连接器“WP55DK系列”。
2023-07-20
板对板
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KEMET推出全新X7R高压VW80808系列车用MLCC
国巨集团旗下品牌KEMET，也是全球电子元件的领先供应商，推出全新 VW80808 系列X7R车用高压高容，提供产品尺寸: 0603/0805/1206/1210, 电压:500/630/以及1K VDC, 电容范围:100pF~0.1uF。产品采用X7R电介质以及柔性端子(FT-CAP)设计，适用于在恶劣环境条件下需要经过验证可靠性表现的各种应用。
2023-07-20
陶瓷电容
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大联大品佳集团推出基于达发科技产品的TWS耳机方案
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于达发科技（Arioha）AB1565芯片的TWS耳机方案。
2023-07-19
耳机
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ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC——BM3G0xxMUV-LB
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。
2023-07-19
电源管理IC
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芯能发布SiC-MOS智能功率模块
IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片，作为紧凑的1200V等级封装，这款SiC MOSFET IPM使用简便，针对SIC定制优化驱动部分，有效减小开关振荡。此外，它采用紧凑式封装，得益于使用具备很高热导率的DBC基板，具有良...
2023-07-19
其它模块
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Diodes推出符合汽车规格的碳化硅 MOSFET 产品，可提升车用子系统效率
Diodes 公司宣布推出 DMWSH120H90SM4Q 和 DMWSH120H28SM4Q 两款符合汽车规格的碳化硅 (SiC) MOSFET，进一步强化宽能隙 (Wide-Bandgap) 产品阵容。此系列 N 信道 MOSFET 产品可满足市场对 SiC 解决方案不断增长的需求，提升电动与混合动力汽车 (EV/HEV) 车用子系统的效率及功率密度，例如电池充电器...
2023-07-19
MOSFET
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三星推出其首款GDDR7，释放下一代显存性能潜力
三星电子宣布已完成其业内首款GDDR7的研发工作。年内将首先搭载于主要客户的下一代系统上验证，从而带动未来显卡市场的增长，并进一步巩固三星电子在该领域的技术地位。
2023-07-19
DRAM
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德国西克推出TiM473/TiM483测量型激光雷达
激光雷达凭借测量精度高、响应速度快、抗干扰性强等优点，是AGV/AMR和服务机器人领域的核心传感器，激光雷达就相当于“眼睛”，实现对周围环境的感知。SICK作为工业传感器的先驱，激光雷达产品也是业内的明星产品，持续地为各领域的发展赋能。
2023-07-19
其它光器件
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