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ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC——BM3G0xxMUV-LB

发布时间:2023-07-19 责任编辑:lina

【导读】全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1,开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LBBM3G007MUV-LB)。


通过替换现有的Si MOSFET,可将器件体积减少约99%,功率损耗减少约55%


全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1,开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。


ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC——BM3G0xxMUV-LB


近年来,为了实现可持续发展的社会,对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求,GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而,与Si MOSFET相比,GaN HEMT的栅极处理很难,必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。在这种市场背景下,ROHM结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势,开发出集功率半导体——GaN HEMT和模拟半导体——栅极驱动器于一体的Power Stage IC。该产品的问世使得被称为“下一代功率半导体”的GaN器件轻轻松松即可实现安装。


新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外,新产品支持更宽的驱动电压范围(2.5V~30V),拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能,因此可以替换现有的Si MOSFET(Super Junction MOSFET*3/以下简称“Si MOSFET”)。与Si MOSFET相比,器件体积可减少约99%,功率损耗可降低约55%,因此可同时实现更低损耗和更小体积。


新产品已于2023年6月开始量产(样品价格4,000日元/个,不含税)。另外,新产品及对应的三款评估板(BM3G007MUV-EVK-002BM3G007MUV-EVK-003BM3G015MUV-EVK-003)已开始网售,在Ameya360等电商平台可购买。


ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC——BM3G0xxMUV-LB


<产品阵容>


ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC——BM3G0xxMUV-LB


新产品支持更宽的驱动电压范围(2.5V~30V),而且传输延迟短、启动时间快,因此支持一次侧电源中的各种控制器IC。


<应用示例>

适用于内置一次侧电源(AC-DC或PFC电路)的各种应用。

消费电子:白色家电、AC适配器、电脑、电视、冰箱、空调

工业设备:服务器、OA设备


<电商销售信息>

电商平台:Ameya360

产品和评估板在其他电商平台也将逐步发售。

(开始销售时间:2023年7月起)

ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC——BM3G0xxMUV-LB


<什么是EcoGaN™> 


EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能,助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件,该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。


ROHM开发出EcoGaN™ Power Stage IC——BM3G0xxMUV-LB


・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。 


<术语解说>

*1) 一次侧电源

在工业设备和消费电子等设备中,会通过变压器等对电源和输出单元进行隔离,以确保应用产品的安全性。在隔离部位的两侧,电源侧称为“一次侧(初级)”,输出侧称为“二次侧(次级)”,一次侧的电源部位称为“一次侧电源”。

*2) GaN HEMT

GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si(硅)相比,具有更优异的物理性能,目前,因其具有出色的高频特性,越来越多的应用开始采用这种材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。

*3)Super Junction MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

MOSFET是晶体管的一种,根据器件结构上的不同又可细分为DMOSFET、Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同种类的产品。与DMOSFET和Planar MOSFET相比,Super Junction MOSFET在耐压和输出电流方面表现更出色,在处理大功率时损耗更小。


【关于罗姆(ROHM)】


罗姆(ROHM)成立于1958年,由起初的主要产品-电阻器的生产开始,历经半个多世纪的发展,已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是:“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难,都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品,并为文化的进步与提高作出贡献”。


罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域,其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中,罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许,成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。


【关于罗姆(ROHM)在中国的业务发展】


销售网点:起初于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体(上海)有限公司, 2006年成立了罗姆半导体(深圳)有限公司,2018年成立了罗姆半导体(北京)有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求,罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的垂直整合体制。作为罗姆的特色,积极开展“密切贴近客户”的销售活动,力求向客户提供周到的服务。目前在中国共设有20处销售网点,其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其16家分公司(分公司:大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、福州)。并且,正在逐步扩大分销网络。


技术中心:在上海和深圳设有技术中心和QA中心,在北京设有华北技术中心,提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员,可以从软件到硬件以综合解决方案的形式,针对客户需求进行技术提案。并且,当产品发生不良情况时,QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。


生产基地:1993年在天津(罗姆半导体(中国)有限公司)和大连(罗姆电子大连有限公司)分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产,在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产,作为罗姆的主力生产基地,源源不断地向中国国内外提供高品质产品。


社会贡献:罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作,积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议,积极地展开关于电子元器件先进技术开发的产学联合。2008年,在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”,并已于2011年4月竣工。2012年,在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”,从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术(结构设施健康监测)、人工智能(机器健康检测)等联合研究项目。除清华大学之外,罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作,不断结出丰硕成果。


罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础,通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制,与客户构筑坚实的合作关系,作为扎根中国的企业,为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。


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