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博瑞集信推出30MHz～4GHz 低噪声放大器
近日，博瑞集信推出一款型号为BR95321TCJ的低噪声放大器,该产品是一款基于GaAs pHEMT工艺设计的高性能MMIC低噪声放大器，能覆盖 30MHz~4GHz 的频率范围，采用+5V或3.3V 单电源供电，芯片内匹配到50欧姆，射频输入输出端口只需要外加隔直电容。
2024-03-19
功率放大器
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采用遥遥领先芯片的“猎户座”5G RedCap鸿蒙模组及解决方案重磅发布!
九联科技作为始终致力于推动国产芯片自主研发和应用的领军企业，与国内芯片厂商保持着紧密而深入的合作关系。双方联手打造了蕴含着勇毅、力量及探索精神的“猎户座”UMG233系列5G RedCap鸿蒙模组及解决方案。该系列模组采用了5G R17规范下的RedCap技术标准，并支持搭载“鸿蒙”操作系统，尤其适合应用于...
2024-03-19
控制模块
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TDK 推出具备模拟和开关输出的新型双芯片抗杂散场 3D 位置传感器
TDK株式会社（TSE：6762）利用适用于汽车和工业应用场景的新型双芯片传感器 HAR 3920-2100*，进一步扩充了 Micronas 3D HAL® 位置传感器系列。其设计旨在满足在存在干扰杂散场的情况下，对线性位置和角度位置进行高精度测量的需求。根据 ISO 26262 标准开发的 HAR 3920 符合 ASIL C 级要求，适合集...
2024-03-18
位置传感器
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英飞凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V
英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。
2024-03-18
MOSFET
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Vishay推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率...
2024-03-18
MOSFET
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e络盟开售Traco Power 5-50瓦紧凑型封装TMPW系列产品
安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟现货发售Traco Power的TMPW 系列超紧凑型直流、交流电源。
2024-03-18
塑料材料
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思特威推出1600万像素手机图像传感器新品SC1620CS
思特威（上海）电子科技股份有限公司推出Cellphone Sensor(CS)Series手机应用1600万像素图像传感器升级新品——SC1620CS。作为1.0μm像素尺寸背照式(BSI)图像传感器，SC1620CS基于思特威SmartClarity®-3技术打造，搭载思特威先进的小像素尺寸技术SFCPixel-SL®，集优异的高感度、高动态范围、低噪声等性...
2024-03-15
图像传感器
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意法半导体高性能微控制器为智能家居和工业系统新创新扫清障碍
服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 发布了一款新的集MPU和MCU两者之长的高性能产品。微处理器(MPU)系统通常更加复杂，处理性能、系统扩展性和数据安全性更高，而微控制器(MCU)系统的优势是简单和集成度高。取两者之长...
2024-03-15
MCU
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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高...
2024-03-15
MOSFET
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