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联芯科技LC1713 TD-HSPA/GGE Modem基带芯片适用于LTE多模产品
日前，联芯科技推出INNOPOWER®LC1713 TD-HSPA/GGE Modem基带芯片。
2012-08-14
LTE-Advanced功放
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联芯科技业界首款支持ZUC祖冲之算法的LTE多模基带芯片
日前，联芯科技在其2012年度客户大会上，推出TD-LTE/LTE FDD/TD-HSPA/GGE多模芯片LC1761和TD-LTE/LTE FDD双模基带芯片LC1761L。两款芯片为目前业界首款同时支持硬件加速ZUC祖冲之算法，3GPP Release 9和LTE Category 4能力的LTE终端芯片，能率先满足LTE预商用背景下工信部、中国移动对于多模终端芯...
2012-08-14
LTE-Advanced功放
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ANADIGICS推出HELP3DC技术的功放与LTE兼容
ANADIGICS, Inc. (纳斯达克股票代码：ANAD) 是全球首屈一指的射频 (RF) 和混合信号半导体解决方案供应商。该公司近日推出采用其第三代低功耗高效率 (HELP™) 技术的全新功率放大器 (PA) 系列产品。新的HELP3DC™ AWT663x系列功率放大器专门针对CDMA、WCDMA/HSPA和LTE设备中包含开关模式电源 (SMPS) 、...
2012-08-13
LTE功放
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Avago Technologies推出用于4G LTE移动的高增益线性功率放大器
Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 近日推出一种高增益、高线性功率放大器，可为700-800MHz移动基础结构设备提供高数据率应用。这一新款高线性MGA-43128放大器可为LTE AP、CPE和Picocell设备提供出色的信号传输质量而且功耗较低，还可以被用作基站驱动放大器。
2012-08-13
LTE功放
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ANADIGICS低功耗高效率LTE功放助推LG智能手机
ANADIGICS日前宣布开始为LG电子 (LG Electronics) 批量供应其第四代低功耗高效率 (HELP4?)的 LTE 功率放大器 (PA) - ALT6713。ALT6713将为Verizon Wireless的定制机型LG Revolution VS910智能手机提供动力。这款功能丰富的LG Revolution手机配备了一块4.3"超大电容式触摸屏、1 GHz Snapdragon处理器...
2012-08-13
LTE功放
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改善便携设备电池充电的P 通道MOSFET
帮助蜂窝手机及其他便携式应用设计人员改善电池充电和负载开关，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其 P 通道 PowerTrench® MOSFET 产品线 。
2012-08-09
MOSFET
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Linear高准确度温度传感器提供可调报警信号
凌力尔特公司推出面向 2.25V 至 5.5V 系统的高准确度温度传感器 LTC2996。该器件以 ±1°C 的准确度测量远端二极管的温度，并以 ±2°C 的准确度测量其自身的芯片温度，同时抑制由噪声和串联电阻引起的误差。LTC2996 提供与绝对温度 (VPTAT) 成比例的输出、以及单独和由用户可调门限定义的欠温和过温...
2012-08-07
温度传感器
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200°C开路温度、特别适用于汽车环境的热保护器件
TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利的、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管（MOSFET）、电容、集成电路、电阻和其他功率元器件损毁和失效所引起的热失控伤害。
2012-08-07
过热保护
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能接受低 VIN 的 5A DC/DC 转换器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高度通用的 DC/DC 转换器 LT3959，该器件面向升压型、SEPIC 和负输出电源应用。LT3959 在 2.5V 至 40V 的输入电压范围内工作，有内置的 6A/40V 电源开关，可实现高达 96% 的效率，从而非常适用于工业、汽车、医疗和电信应用。
2012-08-01
DC/DC电源模块
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