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Vishay扩充了TANTAMOUNT® TR3和293D系列固钽SMD片式电容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，扩充其TANTAMOUNT®低ESR TR3和标准工业级293D系列固钽表面贴装片式电容器，使B、C、D、E、V和W外形尺寸器件的电压提高到75V。来自于Vishay Sprague的该款器件是业内首个75V模塑钽电容器，是为满足在+28V和+35V应用中降额50%额定电压而设计的。
2014-05-28
钽电容
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罗姆推出传感器用635nm频带纯红色半导体激光器 RLD63NZC5系列
635nm的波长具有视觉敏感度高的特点，所以可用于标线仪和激光笔等用眼睛看光线的应用。RLD63NZC5系列采用罗姆独有的活性层设计，具有良好温度特性和长寿命的特点。
2014-05-23
激光器
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ROHM发布小型LCD背光用LED驱动器 BD65B60GWL
BD65B60GWL 是智能手机和便携式游戏机等小型LCD背光用的2通道LED驱动器。通过优化电路，实现待机时等低电流区域的高效率。通过DC（电流）和PWM信号的双重控制，从低亮度到高亮度可进行高精度调光。
2014-05-22
LED
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Vishay发布通过AEC-Q101认证的首颗MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布首颗通过AEC-Q101认证的采用ThunderFET®技术的TrenchFET®功率MOSFET。为提高效率和节省汽车应用里的空间，Vishay Siliconix 100V N沟道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK® SO-8L和DPAK封装的产品中最低的导通电阻。
2014-05-28
MOSFET
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Vishay发布两个通过AEC-Q101认证的配对高速红外发射器/光电二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两个新的配对高速940nm红外发射器和硅PIN光电二极管，器件通过了AEC-Q101认证，采用小尺寸3mm x 2mm侧视表面贴装封装。VSMB10940X01 / VEMD10940FX01高度为1mm，VSMB11940X01 / VEMD11940FX01的高度为0.6mm，是业内高度最低的侧视产品，通过AEC-Q101，...
2014-05-28
红外收发器
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Vishay发布具有1.5MHz的开关频率和95%的效率的4A同步降压稳压器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款可编程开开关频率高达1.5MHz，输入电压4.5～15V的4A器件，扩充其microBUCK®系列集成式同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiP12109在节省空间的3mm x 3mm QFN-16封装内集成了高边和低边功率MOSFET，为设计者提供了面积只有18...
2014-05-27
其它稳压管
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Vishay发布高压应用的宽体IGBT/MOSFET驱动
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于电机驱动、新能源、焊接设备和其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的...
2014-05-26
IGBT模块
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Murata将薄膜可变电容器产品化以满足NFC技术需求
可是，由于不同用途和不同地域的关系NFC通信规格的上升趋势导致每个规格的最佳共振频率范围不同。此外，根据NFC功能（卡模拟功能、读写功能等）的不同最佳共振频率范围也不同。另外也不得不考虑NFC天线电感值的变化。因此，为了相对简单地具备NFC的功能，共振频率匹配装置的必要性正在逐渐提高。村...
2014-05-23
薄膜电容
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Murata发布无线通信设备用晶体振荡子XRCGD系列
株式会社村田制作所多年来提供的陶瓷振荡子CERALOCK®对应了市场所需的高精度时钟元件，使用独特技术并与东京电波株式会社共同开发的小型、高可靠性晶体振荡子从2009年就已经面向一般民生市场开始量产。其最大特征是封装中采用CERALOCK®具有的长期跟踪记录的独特"Cap Chip"构造。因此具备了高生产性...
2014-05-22
晶体振荡器
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