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IR推出针对恶劣工业环境优化的10-50A、1200V IGBT
近日，IR为工业电机驱动器和UPS系统优化推出一系列1200V坚固型超快速绝缘栅双极晶体管（IGBT），新器件采用IR纤薄晶圆场沟道技术，具有更低的传导和开关损耗。兼具低QRR软恢复二极管并设有10us短路额定值，为严苛的工业应用进行了优化。
2013-06-08
单管IGBT
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业界最小4通道IF接收器、体积小性能高的ADC
业界最小4通道IF接收器、体积小性能高的ADC
2013-06-08
模数/数模转换器
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Linear降压型开关稳压器，静态电流仅2.7μA
近日，Linear推出 60V、3A (IOUT)、2MHz 降压型 DC/DC 转换器LT3995，其静态电流仅2.7μA，内部的 4.7A 开关在电压低至 1.2V时能提供高达 3A 的连续输出电流。
2013-06-07
恒压变压器（稳压器）
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TDK铝电解电容器: 波纹电流负荷增加50%
TDK为汽车电子元件市场推出一款轴向引线型铝电解电容器，采用新型轴向引线设计，与标准轴向引线式电容器相比, 波纹电流负荷提高50% ，与单端电容器解决方案相比，体积减少60%。
2013-06-09
电解电容
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英飞凌推新TVS二极管，动态电阻低至0.19Ω
日前，英飞凌面向移动系统推出一系列具有ESD保护的TVS器件ESD102系列，壮大其电路保护产品阵容。ESD102系列具有低至0.19Ω的动态电阻以及超低电容（C = 0.4pF），适用于USB 3.0、GBit Ethernet、Firewire 和 HDMI 链路等高速数据接口。
2013-06-08
瞬态电压抑制器/TVS
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安森美新型MOSFET，LGA封装节省更多空间
安森美半导体推出两款新的新的MOSFET器件，LGA封装MOSFET帮助将空间受限的智能手机及平板电脑应用的能效及电池使用时间提升至极致 ，单节及双节锂离子电池充电/放电保护电路因高性能倒装芯片MOSFET而受益。
2013-06-07
MOSFET
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Vishay扩充功率MOSFET家族，导通电阻低至30mΩ
Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族，新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-06
MOSFET
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Vishay超快二极管，反向恢复时间最快仅需28ns
日前，Vishay宣布推出新款Gen2 650V FRED Pt超快二极管，优化系统开关损耗。其中“H”系列裸片器件用于频率40kHz以上应用，具有极快的和软恢复的时间，以及低正向压降和反向峰值电流，“U”系列用于频率最高为40kHz的应用，具有低得多的正向压降，可优化导通损耗。
2013-06-02
快恢复二极管
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Silicon Labs新型振荡器，提供超低抖动和±20ppm稳定性
近日，Silicon Labs为云计算推出高性能振荡器Si535和Si536，该差分晶体振荡器采用DSPLL技术，提供超低抖动和±20ppm稳定性，完全满足数据中心交换机、路由器和存储设备对超低抖动性能的需求。
2013-06-01
晶体振荡器
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