【导读】德州仪器（TI）推出两款新型高速氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达（LIDAR）以及5G射频（RF）包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率，并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。
凭借业内最佳的驱动速度以及1 ns的最小脉冲宽度，LMG1020 60-MHz低侧GaN驱动器可在工业LIDAR应用中使用高精度激光器。小型晶圆级芯片（WCSP）封装尺寸仅为0.8 mm x 1.2 mm，有助于最大限度地减少栅极环路寄生和损耗，进一步提升效率。
LMG1210是一款50-MHz半桥驱动器，专为高达200 V的GaN场效应晶体管而设计。该器件的可调死区时间控制功能能够将高速DC / DC转换器、电机驱动器、D类音频放大器及其它功率转换应用效率提高多达5％。设计人员可利用超过300 V / ns的业内最高共模瞬态抗扰度（CMTI）实现较高的系统抗噪声能力。
LMG1020和LMG1210的主要特点和优势
1.高速：这两款器件可提供超高速传播延迟（2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210]），使电源解决方案比采用硅驱动器快50倍。另外，LMG1020能够提供高功率1ns激光脉冲，实现远程LIDAR应用。
2.高效率：这两款器件均可实现高效率设计。 LMG1210提供1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制，可将效率提高多达5％。
3.功率密度：LMG1210中的死区时间控制集成功能可减少元件数量并提高效率，使设计人员能够将电源尺寸降低多达80％。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有业内最小封装和最高分辨率。
TI GaN产品的优势
LMG1020和LMG1210是业界最大的GaN电源产品组合中的最新成员，从200V驱动器到80V和600V功率级。凭借超过1,000万小时的GaN工艺可靠性测试，TI提供可靠的GaN产品以满足对成熟和即用型解决方案的需求，为GaN技术带来数十年的硅制造专业技术和高级器件开发人才。
加快设计所需的支持和工具
设计人员可以使用LMG1020EVM-006和LMG1210EVM-012评估模块和SPICE模型快速轻松地评估这些新器件。工程师可以利用LIDAR的纳秒激光驱动器参考设计和高速DC / DC转换器的多兆赫GaN功率级参考设计，快速开始他们的氮化镓设计。
封装和供货情况
LMG1020和LMG1210的原型样品现已在TI商店和公司的授权分销网络上提供。 LMG1020采用WCSP封装，而LMG1210采用四方扁平无引脚（QFN）封装。
推荐阅读：
