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新品

Fairchild推出采用先进第三代场截止IGBT技术的分立式IGBT

今日，Fairchild推出既适用于混合动力电动汽车(HEV)、充电式混合动力电动汽车(PHEV)和电动汽车(EV)应用的新型分立式IGBT和二极管和裸片，从而扩展了其不断增加的汽车级半导体解决方案产品组合。

2016-05-20

IGBT模块

Vishay推出业界首款20nF高电容，有效节省应用系统的空间

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，扩展其440L系列交流线路陶瓷盘式电容器的电容范围。Vishay Cera-Mite器件针对Class X1(760VAC)和Class Y1(500VAC) 应用进行设计，具有高可靠性，符合IEC 60384-14第4版的要求，在业内首次实现了20nF的电容。

2016-05-19

陶瓷电容

ADI全新硅开关缩减蜂窝无线电射频前端的尺寸和功耗

近日，Analog Devices, Inc.(ADI)推出一款高功率（44 W峰值）单刀双掷(SPDT)硅开关ADRF5130，使得设计人员可以缩减蜂窝无线电系统的硬件尺寸和偏置功耗。

2016-05-19

刀开关

Littelfuse超低正向电压降肖特基势垒整流器优于传统开关二极管

日前，Littelfuse宣布，推出其不断扩展的功率半导体产品系列的最新产品——LFUSCD系列碳化硅（SiC ）肖特基二极管。

2016-05-18

整流二极管

Vishay扩展汽车级SMD铝电容器的电压范围，适用于高温条件下的汽车应用

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将汽车级146 CTI和160 CLA系列表面贴装铝电容器的电压范围分别扩展到100V和80V。

2016-05-17

其它电容

Vishay扩大MOSFET产品组合，推出全新650V EF系列器件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。

2016-05-13

MOSFET

安森美半导体扩展IGBT系列，推出基于超场截止沟槽技术的1200V器件

安森美半导体(ON Semiconductor）推出新系列绝缘栅双极晶体管(IGBT)，采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120L3WG的设计旨在提升工作性能水平，以符合现代开关应用的严格要求。

2016-05-11

IGBT模块

Molex为PROFIBUS控制器推出SST PB3-CPX 模块

Molex 推出 SST™ PB3-CPX 模块，可将罗克韦尔自动化的 CompactLogix L2、L3 和 L4 控制器连接至 PROFIBUS DP-V0 及 DP-V1 网络。此类模块可为工业自动化应用实现高性能、低成本的解决方案，并且与 Master DP-V0 Class-1、Master DP-V1 Class-1 和 Class-2 以及 Slave DP-V0 协议兼容。

2016-05-09

其它标准处理器

艾迈斯半导体新型磁性位置传感器支持ISO26262安全性标准，并提供系统级封装型式

今日，艾迈斯半导体公司推出首款采用汽车行业编程开发以满足ISO26262安全标准的磁性位置传感器，拓展了满足汽车安全标准要求的传感器系列产品。

2016-05-06

位置传感器

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