依靠村田＊的半导体（硅）技术开发的独特的集成无源器件和设备（Integrated Passive Devices），可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺，开发极深沟槽结构的硅电容器，静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2（支持的击穿电压为150V to 11V）。本公司的半导体（硅）技术，依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜，完全控制的生产工艺，与其他的电容器技术相比，可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术，使DC电压与整个工作温度范围的静电容量的稳定性极为优秀。并且，因为硅在本质上电介质吸收很小，压电效应也很小，或者几乎没有，所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。

 

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）

 

 

特点

 

100μm的极薄型

低漏电流

高稳定性（温度、电压）

老化后静电容量也极少下降。

支持标准的引线键合封装（球和楔）

（详情见本公司的封装应用说明）

 

用途

 

雷达、基础设施无线通信、数据播放等要求严格的所有用途

焊盘完全平坦，因此标准的引线键合（在上下面镀金）比MLCC容易

去耦、DC噪声、高次谐波滤除、匹配电路（例如GaN功率放大器、LDMOS）

高可靠性用途

要求小型化和薄型的用途（100μm）

与单层陶瓷电容器、金属氧化膜半导体完全兼容

 

WLSC系列规格

 

 

(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 引线键合、嵌入

 

系列一览

 

 

关于其他的规格值，请向本公司销售人员咨询。