【导读】随着800V高压平台在新能源汽车领域的加速普及，以及SiC/GaN等高频功率器件在工业领域的广泛应用，高压系统的电压采样面临着前所未有的挑战：更高的精度、更强的抗干扰能力，以及更低的系统复杂度需求。为应对这一行业趋势，国内领先的信号链芯片供应商纳芯微近日正式发布了其新一代隔离电压采样芯片——NSI1611系列。该系列在经典前代NSI1311的基础上实现了全方位突破，其核心创新在于业内领先的 “0~4V宽压输入+1GΩ高输入阻抗” 组合，并首次引入可直接连接MCU的单端输出选项，旨在为新能源汽车电驱、工业伺服等高要求场景，提供兼顾高精度、高可靠性与高性价比的“一站式”采样解决方案。
随着800V高压平台在新能源汽车领域的加速普及，以及SiC/GaN等高频功率器件在工业领域的广泛应用，高压系统的电压采样面临着前所未有的挑战：更高的精度、更强的抗干扰能力，以及更低的系统复杂度需求。为应对这一行业趋势，国内领先的信号链芯片供应商纳芯微近日正式发布了其新一代隔离电压采样芯片——NSI1611系列。该系列在经典前代NSI1311的基础上实现了全方位突破，其核心创新在于业内领先的 “0~4V宽压输入+1GΩ高输入阻抗” 组合，并首次引入可直接连接MCU的单端输出选项，旨在为新能源汽车电驱、工业伺服等高要求场景，提供兼顾高精度、高可靠性与高性价比的“一站式”采样解决方案。
NSI1611系列包含差分输出的NSI1611D和单端输出的NSI1611S。其中，差分输出均为固定增益，单端输出则提供固定增益和可调比例增益两类选项，进一步满足不同系统架构与设计需求。
在新能源汽车与工业自动化领域，对高压系统采样提出了“高精度、高灵活度”的严苛要求，隔离电压采样芯片的性能迭代与场景适配能力已成为行业竞争关键。全新NSI1611系列通过创新的宽压+高阻输入与灵活输出配置两大特点，能够同时支持新项目设计与存量平台升级，为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机（OBC）等汽车应用，以及伺服、变频器、电机驱动等工业应用带来更优的器件选择。
创新宽压+高阻输入，精度抗扰双重提升
以新能源汽车主驱系统为例，随着其母线电压进一步提升至800V，以及SiC/GaN器件的应用，控制系统对电压采样的精度及抗干扰能力有了更高的要求。市面上多数隔离电压采样芯片的输入范围为0~2V，而NSI1611创新性地在保持1Gohm高阻输入的同时，将其拓展至0~4V，突破前代及行业同类产品的输入范围限制，带来精度和抗干扰的双重升级，在适配更高母线电压的同时，降低了设计复杂度和开发周期。
●抗干扰能力增强：NSI1611采用宽压输入时，参考地的噪声对输入信号的干扰比例直接减半。结合NSI1611内部的电路优化，其芯片EOS能力大幅提升，且EMI可通过CISPR 25 Class 5等级测试，CMTI高达150kV/μs。在新能源汽车主驱、工业变频器等高开关频率的复杂电磁环境中，宽压输入能够保证采样信号更纯净，大大提升了系统运行的稳定性，降低终端应用的失效风险。
●采样精度再升级：0~4V的宽压输入范围可扩大分压比，结合优化的信号调理设计，在保持高阻输入的同时显著降低输入误差，让测量数据更接近真实电压值，为系统的精准控制提供可靠数据；在采样误差测试中，相比前代产品NSI1311系列，NSI1611系列凭借更宽的输入范围在系统的低压区域取得了较大的精度优势，在满量程800V母线电压系统中，当输入电压100V时，NSI1611的采样误差相比NSI 1311降低超30%，误差低于1.2%。
NSI1611和NSI1311的采样误差随输入电压变化曲线
单端/差分输出灵活选择，简化设计更高效
凭借深刻的系统级理解，NSI1611系列基于前代产品的应用痛点，全新加入单端输出版本，并且提供“固定增益/比例增益”双版本选择，适配多元化的系统配置需求，可帮助客户简化选型和设计：
简化设计、降低BOM成本：NSI1611的单端输出信号可直接接入MCU的ADC接口，彻底省去了传统差分输出方案所必需的后级运放及调理电路，不仅直接降低了BOM成本，还简化了PCB布局与器件选型复杂度，为紧凑型和高功率密度应用提供了更优的解决方案。
增益自适应适配多元需求：比例增益版本（NSI1611S33/NSI1611S50）可通过REFIN引脚进行配置，使输出增益匹配后端ADC的满量程输入范围，最大化利用ADC的动态范围，提升了整体信号链的有效位数与采样精度，进一步满足多元化的高精度测量需求。
单端输出隔离电压采样应用电路图（无需后级运放）
差分输出隔离电压采样应用电路图（橙框内为运放）
同时，NSI1611系列亦保留差分输出版本NSI1611D02，与纳芯微NSI1311完全引脚兼容，客户无需修改PCB即可实现无缝升级或跨品牌替换，显著降低迁移成本。
多项参数优化，性能全面升级
随着系统功率密度的提升，对器件耐压能力、采样精度、EMI性能等提出了更高的要求。NSI1611针对相关关键参数进行了优化，在全面升级器件可靠性和性能的同时，亦优化了器件成本，为客户提供“性能-成本-可靠性”兼得的选择。
车规级可靠性保障：NSI1611系列的车规版本满足AEC-Q100 Grade 1要求，工作温度覆盖-40℃~125℃，隔离耐压高达5700Vrms，最大浪涌隔离耐压Viosm达10kV，适配汽车高温高压严苛环境，可在极端场景下确保隔离的可靠性。
精度参数全面进阶：NSI1611系列的输入偏置电压Vos（Offset Voltage）指标优化至±0.8mV，相较于前代NSI1311同规格产品的±1.5mV，精度表现实现巨大提升；此外，增益温漂（Gain Drift）从前代的45ppm/℃优化至40ppm/℃，全温区精度稳定性进一步提升；非线性误差、温漂（Offset Drift）维持在行业优异水平，有效加快了系统开发的标定流程；同时，NSI1611系列的采样带宽达到330kHz，适配SiC和GaN等新一代高频开关器件控制，满足高动态响应需求。
功耗优化更节能：相比前代产品，NSI1611系列功耗表现进一步优化，助力终端产品降低能耗。对比前代，NSI1611的Idd1由11.4mA降低至7.2mA，Idd2由6.3mA降低至4.7mA（均为典型值Typ.），NSI1611系列的整体综合功耗下降约33%，可助力客户打造更节能的汽车电子系统，提高新能源汽车的续航里程。
EMI表现更优异：NSI1611基于时钟信号隔离通道复用技术，大幅优化了EMI表现。在200MHz到1000MHz频段的EMI测试中，NSI1611的辐射发射（RE）指标在水平方向和垂直方向均保持10dB以上裕度（3dB～6dB裕度即可满足工程需求），可轻松通过CISPR 25 Class 5认证，面对汽车主驱、OBC等复杂电磁环境，可以减小对系统其他部件的电磁干扰，有效减少系统电磁兼容整改工作量，加快产品上市进度。
NSI1611 辐射发射（RE）实测图 NSI1611辐射发射（RE）实测图
（CISPR 25 Class 5 3m 垂直方向） （CISPR 25 Class 5 3m 水平方向）
封装和选型
NSI1611系列选型表
丰富的“隔离+”产品，满足多元化应用需求
凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列 “隔离+”产品。纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：
“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。
“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。
“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。
全新推出的NSI1611系列隔离电压采样芯片将于2026年1月全面量产，进一步咨询NSI1611系列及“隔离+”产品。
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