【导读】业界领先的半导体供应商兆易创新（GigaDevice）正式推出新一代双电压高性能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。该产品采用创新的1.8V核心电压与1.2V I/O电压设计，可直接与主流1.2V SoC对接，省去外部电平转换器，在降低系统功耗的同时优化BOM成本。作为第三代双电压产品，GD25NX系列在性能与能效方面实现双重突破，适用于可穿戴设备、数据中心、边缘AI及汽车电子等高要求场景。
2025年11月18日，业界领先的半导体供应商兆易创新（GigaDevice）正式推出新一代双电压高性能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。该产品采用创新的1.8V核心电压与1.2V I/O电压设计，可直接与主流1.2V SoC对接，省去外部电平转换器，在降低系统功耗的同时优化BOM成本。作为第三代双电压产品，GD25NX系列在性能与能效方面实现双重突破，适用于可穿戴设备、数据中心、边缘AI及汽车电子等高要求场景。
性能跃升：400MB/s吞吐量，写入与擦除速度全面提升
GD25NX系列支持八通道SPI模式，最高时钟频率达200MHz（STR/DTR），实现400MB/s的超高数据传输速率。其写入时间仅0.12ms，扇区擦除时间为27ms，相较传统1.8V八通道Flash，写入速度提升30%，擦除速度提升10%。产品同时集成ECC算法与CRC校验，并支持DQS信号功能，为高速系统提供完整的数据完整性与时序保障。
能效革新：1.2V I/O架构，读功耗降低50%
依托1.2V低电压I/O设计，GD25NX在高速运行下仍保持出色能效。其读取电流在STR 200MHz模式下低至16mA，DTR 200MHz下为24mA，与常规1.8V产品相比，读功耗大幅降低50%，为电池供电与功耗敏感型设备提供更具竞争力的存储方案。
产品已就绪，助力客户高效开发
兆易创新存储事业部总经理苏如伟表示：“GD25NX系列开创了低电压与高性能兼备的SPI NOR Flash新格局。未来我们将持续拓展双电压产品线，覆盖更广的容量与封装规格。”
目前，GD25NX系列提供64Mb与128Mb两种容量，支持TFBGA24与WLCSP封装。128Mb型号GD25NX128J已开放样片申请，64Mb型号即将跟进。
推荐阅读：
国产精密开关突围：治精微ZJG4469实现175MHz带宽+200pA漏电流
安勤发布“工业小钢炮”：无风扇设计+DDR5内存，7x24小时不间断运行
Vishay放出“大招”：新型PTC热敏电阻可吸收340J能量，重新定义浪涌保护
