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功率器件
ST 先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。
Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器，进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率
Nexperia（安世半导体）近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC，可用于驱动同步降压或半桥配置中的高边和低边N沟道MOSFET。这些驱动器包含车规级和工业级版本，性能上兼具高电流输出和出色的动态性能，可大幅提高应用效率和鲁棒性。
兴感（兴工）推出超高精度、400khz、增益可调功能的全集成电流传感器IC
兴感（兴工微）半导体新推出全集式电流传感器SC826x、SC846x，两款新产品支持高达200A电流，其关键技术均采用了兴感自有专利的数字温度补偿、差分传感、隔离封装技术，凭借这些出色设计使新产品具有高带宽和高抗干扰特性的同时并且在-40~150℃范围内典型精度优于<1%，即使在如太阳能逆变器、车载充电机、DC/DC转换器等更苛刻的新能源工业和电动汽车场景也能保障非常稳定的性能指标。
Microchip推出第二代低噪声原子钟 SA65-LN，为航空航天赋能
在对尺寸、重量和功耗（SWaP）有严格限制的航空航天和防务应用中，开发人员需要超洁净的计时设备。芯片级原子钟 （CSAC）是这些系统的重要基准，可在传统原子钟体积过大或功耗过高以及其他卫星基准可能受到影响的情况下，提供必要的精确而稳定的计时。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出第二代低噪声芯片级原子钟（LN-CSAC），型号为 SA65-LN，具有更低的外形高度和更宽的工作温度范围，可在苛刻的条件下实现低相位噪声和原子钟稳定性。
从数据中心到新能源车：英飞凌JFET技术破解高密度系统散热难题
英飞凌科技股份公司推出全新CoolSiC™ JFET功率半导体器件，该系列产品基于碳化硅技术，具有超低导通损耗、卓越关断性能及高可靠性，可满足固态断路器、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器等工业与汽车应用场景对高效可靠配电的需求，其优异的短路耐受能力及热稳定性为固态保护系统提供关键技术支撑。
SiC集成+宽爬电封装！PI 推出面向800V汽车应用的五款开关IC
Power Integrations推出的1700V InnoSwitch™3-AQ开关IC，首次将1700V碳化硅（SiC）开关与InSOP™-28G宽爬电封装结合，实现初级侧1000VDC高压耐受能力，引脚间爬电距离达5.1mm，满足2级污染环境下的严苛绝缘要求。该技术无需喷涂三防漆，简化生产流程并降低认证成本，为800V纯电平台提供高可靠隔离电源方案。
6.8μs极速响应+高耐压！ABLIC发布电压检测器IC重塑系统的安全新标准
随着800V高压平台普及，车载电子系统过压风险陡增。传统电压检测IC面临 “提速必增功耗” 的技术悖论——响应速度每提升1μs，功耗往往增加5μA以上。ABLIC（美蓓亚三美旗下）突破性推出 S-19116系列电压检测器IC，以 6.8μs业界最快过压响应 与 2.0μA超低工作电流，同步实现安全性与能效的革命性升级，为BMS、OBC等核心系统构筑安全防线。
