【导读】Silicon Labs宣布其隔离栅极驱动器产品系列增加新成员Si828x版本2。这一更新使该产品系列能够实现高效的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）栅极驱动，从而满足不断发展的半桥和全桥逆变器及电源市场，这些设备需要提高功率密度、降低运行温度并减少开关损耗。
Si828x新功能专为电动汽车和各种工业应用而优化
致力于建立更智能、更互联世界的领先芯片、软件和解决方案供应商Silicon Labs（亦称“芯科科技”，NASDAQ: SLAB）今日宣布其隔离栅极驱动器产品系列增加新成员Si828x版本2。这一更新使该产品系列能够实现高效的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）栅极驱动，从而满足不断发展的半桥和全桥逆变器及电源市场，这些设备需要提高功率密度、降低运行温度并减少开关损耗。
Silicon Labs副总裁兼电源产品总经理Brian Mirkin表示：“Si828x产品系列拥有多项优势，这使其非常适合混合动力和电动汽车（EV）及工业应用。在设计汽车充电器和牵引逆变器时，将SiC FET用于功率开关的客户可以极大地受益于Si828x独特的功能组合，包括强健的栅极驱动、强大的去饱和故障响应和高效率的米勒钳位。”
Silicon Labs与SiC解决方案的主要提供商Wolfspeed进行合作，其栅极驱动器已经通过了Wolfspeed SiC MOSFET的测试。
Wolfspeed高级副总裁兼电源产品总经理Jay Cameron表示：“SiC能满足消费者对更高续航里程和更快充电的需求，因此电动汽车在功率转换和逆变器应用中对SiC的采用正在迅速增加。针对SiC MOSFET进行了优化的栅极驱动器，可以最大限度地提高SiC在这些应用中的使用效果。”
搭配Si828x系列使用的Wolfspeed SiC FET可提高功率和转换效率，这意味着更少的电池单元、更多传输给电动机的功率以及更低的运营成本。点击这里可获得关于Silicon Labs Si828x和Wolfspeed C3M系列的测试报告；点击这里可获得测试中使用的半桥参考设计的文档。
Si828x版本2包含以下功能：
•4安培峰值栅极驱动电流可有效开关SiC FET和IGBT，降低电动汽车和工业应用的运营成本
•改进的共模瞬变抗扰性（CMTI）支持减少开关转换时间，升高开关频率，降低系统损耗
•额外的欠压锁定（UVLO）设置可提高SiC FET的灵活性，防止电源供电不良
•集成的DC-DC转换器可简化设计，降低系统成本
•提供FET去饱和保护，以检测并消除故障状况
•包含米勒钳位，消除了寄生引起的击穿情况
Si828x版本2隔离栅极驱动器现已上市。
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