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东芝推出用于IGBT栅极驱动和MOSFET的光耦合器

发布时间:2021-05-17 责任编辑:lina

【导读】 东芝电子设备和存储公司(“东芝”)推出了TLP5771H, TLP5772H和TLP5774H,这是使用SO6L封装的光电耦合器产品。它们可以驱动小型或中型mosfet或igbt的栅极,与控制电路隔离。
 
 东芝推出用于IGBT栅极驱动和MOSFET的光耦合器
 
东芝电子设备和存储公司(“东芝”)推出了TLP5771H, TLP5772H和TLP5774H,这是使用SO6L封装的光电耦合器产品。它们可以驱动小型或中型mosfet或igbt的栅极,与控制电路隔离。
 
新产品的最高操作温度从现有产品[1]的110ºC提高到125ºC。主要特性还指定了工作温度额定值(-40至125ºC),使其更容易设计和保持温度裕度。
 
机身较薄,最大高度为2.3 mm,提高了系统板上各部件布局的灵活性。此外,该封装可以使用SDIP6封装[3]安装在东芝传统产品[2]的陆地图案上。因此,产品可以安装在板的背面或高度限制的地方,取代传统的产品。

注:
[1]现有产品:TLP5771、TLP5772、TLP5774
常规产品:SDIP6包装TLP700H和TLP701H
封装高度4.15 mm (max)
 
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