【导读】纳芯微电子推出高压半桥驱动芯片NSD2622N，专为增强型氮化镓（E-mode GaN）器件设计。该芯片集成正/负压稳压电路与自举供电功能，具备200V/ns高dv/dt抗扰能力及2A/-4A峰值驱动电流，可显著简化高压大功率场景的GaN驱动设计，提升系统可靠性并降低综合成本。
纳芯微电子推出高压半桥驱动芯片NSD2622N，专为增强型氮化镓（E-mode GaN）器件设计。该芯片集成正/负压稳压电路与自举供电功能，具备200V/ns高dv/dt抗扰能力及2A/-4A峰值驱动电流，可显著简化高压大功率场景的GaN驱动设计，提升系统可靠性并降低综合成本。
技术难题
E-mode GaN因导通阈值低（约1V），在硬开关工况下面临严峻挑战：
●高频开关易受串扰导致误导通风险
●传统驱动需外置正负压电源，电路复杂且成本高
●阻容分压方案负压不稳定（启机零压/关断波动）
●多管并联、双向开关等场景难以应用集成驱动GaN芯片
NSD2622N功能框图
阻容分压驱动方案
产品核心优势
技术亮点
●双压集成：芯片内部直接生成稳定正负压，彻底解决启机零压关断风险
●自举供电：高边驱动无需独立隔离电源，BOM元件减少40%以上
●高频性能：6.5ns级开关速度（1nF负载），支持GaN并联应用
●安全防护：内置欠压/过温保护，工作温度覆盖-40℃~125℃
E-mdoe GaN采用阻容分压驱动电路波形
（CH2为驱动供电，CH3为GaN栅源电压）
NSI6602VD驱动电路
正负电源稳压电路
E-mode GaN采用NSD2622N驱动电路波形
（CH2为低边GaN Vds，CH3为低边GaN Vgs）
NSI6602VD驱动方案典型供电架构
NSD2622N驱动方案典型供电架构
GaN直驱方案的驱动及供电电路BOM对比
竞品方案对比（关键指标）
应用场景
●AI数据中心电源：提升48V/12V转换效率
●新能源车载系统：OBC（车载充电机）/DC-DC模块
●光伏逆变器：微型逆变器及储能变流器
●工业电源：通信基站/服务器电源
典型应用案例
某3kW交错式TTP PFC+全桥LLC电源方案实测：
●对比传统驱动方案（如NSI6602VD+外置稳压）
●BOM减少：驱动供电电路元件从32个降至18个
●成本降低：辅助电源模块节省$1.2/系统
●可靠性提升：负压波动从±1.2V优化至±0.05V
市场前景
随着800V电气架构在新能源领域的普及，GaN器件在OBC/DCDC模块渗透率预计2026年超35%。NSD2622N通过：
1. 解决负压可靠性痛点
2. 突破多管并联技术瓶颈
3. 降低系统综合成本30%+
有望成为高压大功率GaN应用的标杆驱动方案。
结语
NSD2622N的推出标志着国产GaN驱动芯片进入高集成化时代。其创新的"自举供电+双压集成"架构，不仅破解了E-mode GaN的应用困局，更为数据中心、新能源等领域的高效电源设计提供标准化解决方案，加速GaN技术在高功率场景的落地。
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