【导读】高压电力电子领域迎来里程碑式突破！鲁晶半导体正式推出5000V碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），凭借JBS结构创新与宽禁带材料优势，突破传统硅基器件耐压极限，为光伏逆变、超快充、智能电网等场景提供超高可靠性解决方案，加速国产功率半导体高端化进程。
高压电力电子领域迎来里程碑式突破！鲁晶半导体正式推出5000V碳化硅肖特基二极管（SiC SBD），凭借JBS结构创新与宽禁带材料优势，突破传统硅基器件耐压极限，为光伏逆变、超快充、智能电网等场景提供超高可靠性解决方案，加速国产功率半导体高端化进程。
技术攻坚突破
行业三大瓶颈
1. 硅基器件耐压极限不足（＜1700V）
2. 高频场景反向恢复损耗严重
3. 高温环境性能急剧衰减
鲁晶创新方案
●JBS结构实现5000V绝缘击穿场强
●零反向恢复电荷（Qrr≈0）降低开关损耗
●175℃高温稳定运行
产品核心优势
技术亮点
1. 结构革命
●JBS结势垒设计消除传统PiN结构缺陷
2. 材料突破
●碳化硅禁带宽度3.3eV（硅的2.8倍）
3. 高频王者
●零反向恢复特性支持MHz级开关
4. 环境征服者
●导热率4.9W/cm·K（硅的3.3倍）
竞品对比分析
竞争力解读：
在耐压等级（提升50%）、高温稳定性（扩展10℃上限）、高频特性三大维度建立代际优势，尤其5000V耐压填补国内HVDC输电领域技术空白。
应用场景
1. 新能源革命
●2000V+光伏系统 · 储能变流器（系统效率提升3%）
2. 电动出行
●800V超快充平台 · 车载OBC（充电时间缩短30%）
3. 新型电力系统
●柔性直流输电 · 固态变压器（输电损耗降40%）
4. 高端工业
●特种电源 · 电磁弹射系统（功率密度翻倍）
标杆案例
某特高压直流输电工程（2024年应用）
●部署方案：替代进口硅基器件
●实现价值：
● 输电效率提升2.8%（年节电1.2亿度）
● 故障率下降65%
● 设备体积减少40%
市场前景
据Yole预测：
●2027年高压SiC器件市场将达$8.3亿
●电网应用复合增长率超45%
政策驱动：
1. 国家电网“双碳”行动方案（2025特高压投资3000亿）
2. 新能源汽车800V平台普及（渗透率将超35%）
3. 光伏1500V系统成为新标准（占比＞70%）
鲁晶有望3年内占据国产高压SiC市场30%份额。
结语
5000V碳化硅肖特基二极管的量产，标志着中国在第三代半导体高压领域实现从“追赶”到“并跑”的关键跃迁。其突破性耐压能力与高温稳定性，为构建新型能源体系提供核心器件支撑，助推电力电子技术迈入国产化新时代。
推荐阅读：
高温性能提升30%！华润微推出高性能TMBS助力光伏降本增效
国产芯替代方案！华北工控RK3588工业平板赋能AIoT边缘计算
ASIL-D级光影魔术师！基于NXP和隆达电子产品的汽车智能氛围灯方案
