【导读】英诺赛科（Innoscience）推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD，专为驱动VGaN™设计，彻底革新传统BMS（电池管理系统）架构。通过取代笨重的背靠背Si MOSFET方案，INS1011SD结合VGaN™技术，显著降低系统体积、功耗与成本，为电池保护、储能和电动交通等领域带来高效、紧凑的解决方案。

技术难点及应对方案

传统BMS系统因使用多颗Si MOSFET及复杂驱动电路，面临体积大、效率低、成本高等问题。英诺赛科的解决方案：

• ●集成化设计：INS1011SD直接驱动VGaN™，省去冗余器件，简化电路。

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• ●高速响应：纳秒级开关速度，快速触发故障保护。

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• ●宽压兼容：支持8V-90V输入，适配多样化的电池组需求。

核心作用

INS1011SD的核心是优化VGaN™的栅极驱动，实现高效、可靠的电池保护，同时降低系统复杂性和BOM成本，尤其适用于双向充放电场景。

产品关键竞争力

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• ●超低静态电流：仅8μA，大幅延长电池待机时间。

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• ●强驱动能力：支持多颗VGaN™并联，满足大电流需求。

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• ●高兼容性：无缝对接主流AFE/MCU控制逻辑。

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• ●标准封装：SOP-8封装，便于快速量产。

同类竞品对比分析

实际应用场景

• BMS电池保护：电动车辆、储能系统。

• 不间断电源（UPS）：高效蓄电池管理。

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• 电动工具：轻量化、长续航设计。

产品供货情况

INS1011SD已量产，可通过英诺赛科官网获取技术资料与采购支持，配套VGaN™器件同步供应。

结语

英诺赛科通过INS1011SD与VGaN™的协同创新，为电力电子系统提供了更高效、更紧凑的解决方案，加速氮化镓技术在新能源领域的普及。

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