【导读】GaN Systems开发了两款650V半桥评估板（30 A和60 A），用于评估氮化镓（GaN）驱动器和GaN晶体管在各种应用中的性能。该公司声称，这些子板是业界首款可提供具有可调阈值和可编程源电流，带有过流保护功能，以实现可调节的导通压摆率。
GaN Systems开发了两款650V半桥评估板（30 A和60 A），用于评估氮化镓（GaN）驱动器和GaN晶体管在各种应用中的性能。该公司声称，这些子板是业界首款可提供具有可调阈值和可编程源电流，带有过流保护功能，以实现可调节的导通压摆率。
子板具有两种功率级别：最高3 kW（GS-EVB-HB-66508B-RN）和最高6 kW（GS-EVB-HB-66516T-RN），并包含瑞萨电子RAA226110低侧GaN FET驱动器具有可编程的源电流和可调的过流保护。
RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET，提供6.5V至18 V的宽电源电压范围。该器件同时提供反相（INB）和同相（IN）输入，可满足使用单个器件进行反相和同相栅极驱动的要求。
GaN Systems 650V GaN半桥评估板可与GaN Systems主板一起使用，以简化设置和即插即用操作。功能包括在2 MHz fSW时的集成VGS调节和具有40 mV / 80 mV / 120 mV可调阈值的可编程过流保护以及差分电流检测以及可编程的源电流，用于可调的开启压摆率（0.3A，0.75A，或2A）。
GS-EVB-HB-66508B-RN 650-V 30-A GaN半桥和GS-EVB-HB-66516T-RN 650-V 60-A GaN半桥演示板均带有RAA226110栅极驱动器。评估套件包括两个GaN Systems 650-V GaN E-mode晶体管（用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T）以及所有必要的电路，包括半桥栅极驱动器，隔离式电源和可选的散热器。借助该演示板，设计人员可以使用通用母板（P / N：GS665MB-EVB）或他们自己的系统设计，评估任何基于半桥拓扑的GaN E模式性能。
GaN Systems表示，这些功率级设计可用于各种应用，包括企业级1U电源（最高5 kW），高功率密度无桥图腾柱PFC，光伏逆变器，能量存储系统，电机驱动器和汽车DC / DC转换器和车载充电器。
该公司最近还推出了四个集成的GaN功率模块评估套件，这些套件使评估高功率应用的GaN功率器件变得容易。这些产品包括牵引逆变器，工业电动机，储能系统，光伏逆变器以及各种下部电源板和砖式电源。四个评估套件包括：100V驱动器GaN DC / DC功率级模块；以及650 V，150 A半桥智能电源模块（IPM）; 650 V，150 A全桥模块和驱动器以及650 V，300 A三相模块和驱动器。
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