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Vishay新款1200V SiC MOSFET模块,推动能源转换升级

发布时间:2025-12-03 责任编辑:lina

【导读】近日,为满足电动汽车、可再生能源及工业系统对高频、高效功率转换的迫切需求,威世(Vishay)推出了新一代采用先进封装的碳化硅(SiC)功率解决方案。新发布的 VS-MPY038P120 与 VS-MPX075P120 功率模块,均采用1200V SiC MOSFET技术,并创新性地运用了薄型MAACPAK PressFit封装。该设计将SiC材料的高频低损耗特性,与坚固的传递模塑结构及易于安装的PressFit引脚相结合,旨在显著提升电源系统的功率密度、运行效率及长期可靠性,为工程师应对紧凑型高功率设计挑战提供了强有力的选择。


薄型器件适于中高频应用,节省空间,同时降低寄生电感,实现更洁净的开关特性


近日,为满足电动汽车、可再生能源及工业系统对高频、高效功率转换的迫切需求,威世(Vishay)推出了新一代采用先进封装的碳化硅(SiC)功率解决方案。新发布的 VS-MPY038P120 与 VS-MPX075P120 功率模块,均采用1200V SiC MOSFET技术,并创新性地运用了薄型MAACPAK PressFit封装。该设计将SiC材料的高频低损耗特性,与坚固的传递模塑结构及易于安装的PressFit引脚相结合,旨在显著提升电源系统的功率密度、运行效率及长期可靠性,为工程师应对紧凑型高功率设计挑战提供了强有力的选择。


Vishay新款1200V SiC MOSFET模块,推动能源转换升级


日前发布的功率模块集成Vishay新一代SiC MOSFET与用于温度感测的负温度系数(NTC)热敏电阻,以及具有低反向恢复时间的快速本征SiC二极管,从而降低开关损耗,提高效率,适用于光伏逆变器、电动(EV)和混合电动(HEV)汽车充电器、电机驱动器、焊机、DC/DC转换器、UPS、暖通空调(HVAC)系统、大型电池储能系统、通信电源等。


为提高可靠性,VS-MPY038P120和VS-MPX075P120采用坚固的传递模塑工艺技术,产品生命周期远超市场上现有的传统解决方案,同时增强热阻性能。此外,器件高度低,有助于降低寄生电感和电磁干扰(EMI),节省空间,实现更高效、更干净的开关特性。模块PressFit引脚矩阵排列符合行业标准布局,便于轻松替换现有设计中的竞品解决方案,提高性能。


VS-MPY038P120采用全桥逆变器拓扑结构,导通电阻低至38 mW,+80 °C下连续漏极电流为35 A, 而VS-MPX075P120则采用三相逆变器拓扑结构,导通电阻为75 mW,连续漏极电流为18 A。两种器件都具有低容值高速开关功能,最高工作结温达+175 °C。功率模块符合RoHS标准,无卤素。


VS-MPX075P120和VS-MPY038P120现可提供样品并已实现量产,供货周期为13周。


VISHAY简介


Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。




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