【导读】大联大控股旗下友尚集团近日发布了一套高性能电源系统解决方案，该方案集成了11KW AC/DC高压电源与3KW DC/DC高压转低压系统。方案核心采用了意法半导体（ST）的Stellar E1系列MCU、STGAP2SIC单栅极驱动器以及第三代1200V碳化硅（SiC）MOSFET，旨在为先进半导体制造设备，特别是AI SoC的生产线，提供高效、稳定且精确的电力供应。
大联大控股旗下友尚集团近日发布了一套高性能电源系统解决方案，该方案集成了11KW AC/DC高压电源与3KW DC/DC高压转低压系统。方案核心采用了意法半导体（ST）的Stellar E1系列MCU、STGAP2SIC单栅极驱动器以及第三代1200V碳化硅（SiC）MOSFET，旨在为先进半导体制造设备，特别是AI SoC的生产线，提供高效、稳定且精确的电力供应。
图示1-大联大友尚基于ST产品的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案的展示板图
一、基本特性
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高效能转换与灵活输出：
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11KW AC/DC部分：采用三相图腾柱PFC+CLLC架构，峰值效率可达96.5%，输出电压在500Vdc至900Vdc之间可调，最大输出电流15A。
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3KW DC/DC部分：采用相移全桥架构，峰值效率95.2%，可提供12Vdc至16Vdc的宽范围电压输出，并支持高达200A的大电流。
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先进的核心组件：
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控制核心：基于意法半导体Stellar E1系列MCU，该MCU集成双核Arm® Cortex®-M7，运行频率高达300MHz，并配备硬件安全模块（HSM），支持OTA（空中升级）功能。
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功率器件与驱动：全套方案采用ST第三代1200V SiC MOSFET，搭配专为SiC优化的STGAP2SIC隔离栅极驱动器，旨在提升系统效率与可靠性。
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优异的电气性能与系统安全：AC/DC部分具备高功率因数（PF > 98%）和低输入电流失真（Ithd < 5%）。系统支持全隔离驱动，内置多重保护机制，增强了安全性。
图示2-大联大友尚基于ST产品的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案的场景应用
二、技术难点及应对方案
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难点一：半导体制造对电源精度与稳定性的极致要求
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行业挑战：AI SoC等先进制程芯片的生产设备，需要电源具备极高的电压稳定性和低纹波噪声，任何微小的波动都可能影响芯片良率。
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应对方案：通过采用高性能的Stellar E1 MCU进行精确的数字控制，并结合SiC MOSFET的高频特性，实现了高效的功率转换和稳定的输出。
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难点二：高功率密度与散热管理
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行业挑战：高功率电源在有限空间内会产生大量热量，有效的散热设计是保障长期稳定运行的关键。
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应对方案：SiC器件本身具有更高的工作结温和更低的开关损耗。优化的拓扑结构（如CLLC、相移全桥）也助力提升了系统效率（峰值效率>95%），从源头减少了热量的产生。
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难点三：系统的可靠性与安全性
图示3-大联大友尚基于ST产品的11KW AC/DC高压电源和3KW DC/DC高压转低压系统方案的方块图
三、同类竞品潜在对比维度分析
表格分析：
此方案的核心竞争力在于其全链路采用了意法半导体的先进组件，特别是在功率器件（SiC）和控制核心（高性能MCU） 上形成了协同优势。相较于行业传统方案，它在效率、集成度和安全性方面 likely 具备明显提升，能够更好地满足半导体制造等高端工业应用对电源"精、稳、省"的苛刻要求。
四、应用领域
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工业自动化：适用于大功率激光器、工业机器人驱动等需要高性能直流供电的场景。
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测试与测量：可用于半导体测试机台、大功率电子负载等设备的内部供电单元。
五、产品供货情况
该方案目前主要面向客户提供硬件与软件的学习和验证平台。关于具体的批量供货时间、定价及评估套件获取方式，建议通过大联大官方渠道（如其大大通平台）进行进一步咨询。
结语
大联大友尚集团此次推出的电源解决方案，通过整合意法半导体在MCU、驱动器和SiC功率器件领域的前沿产品，打造了一套面向高端制造的高性能、高可靠性电源系统。它不仅精准应对了AI芯片制造中对动力核心的严苛需求，也展现了分销商与技术原厂协同合作，为客户提供从芯片到系统级解决方案的价值所在。
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