【导读】DNP（Dai Nippon Printing Co., Ltd. ） 近日宣布，其研发的纳米压印光刻（NIL）模板已成功实现10纳米的精细电路线宽图案分辨率。这一成就意味着，该技术可用于制造性能对标1.4纳米制程的尖端逻辑半导体，为业界提供了一条有望显著降低制造成本与能耗的全新路径。
DNP（Dai Nippon Printing Co., Ltd. ） 近日宣布，其研发的纳米压印光刻（NIL）模板已成功实现10纳米的精细电路线宽图案分辨率。这一成就意味着，该技术可用于制造性能对标1.4纳米制程的尖端逻辑半导体，为业界提供了一条有望显著降低制造成本与能耗的全新路径。
纳米压印模板
研发背景与目标
近年来，半导体器件朝着更精密方向发展，市场对尖端半导体微型化的需求如潮水般汹涌。在此背景下，基于极紫外（EUV）光刻技术的生产虽取得一定进步，但该技术存在显著短板。生产线建设和曝光工艺需巨额资本投入，能耗与运行成本也居高不下，这无疑给众多半导体企业带来了沉重负担。
DNP自2003年起便致力于NIL模板的研发工作，在高精度图案化领域成功积累了丰富的技术经验。
在此项最新进展中，DNP研发了一种具有10纳米线图案的NIL模板。它可以替代部分EUV光刻工艺，从而帮助那些不具备EUV光刻生产工艺的客户生产尖端逻辑半导体。
主要特性：SADP 技术赋能，节能增效双突破
DNP 此次运用自对准双重图案化（SADP）技术，成功攻克难题，研发出电路线宽 10 纳米的新型 NIL 模板。该技术操作巧妙，先通过光刻设备形成图案，再对图案进行薄膜沉积和蚀刻处理，使图案密度翻倍，大大提升了模板的精细度。
不仅如此，这项技术还在节能方面表现卓越。借助 NIL 技术的节能型超精细半导体加工技术，曝光过程中的能耗大幅降低，仅为现有曝光工艺（如氟化氩（ArF）浸没式光刻和 EUV 光刻）的约十分之一，为半导体制造行业带来绿色发展新希望。
未来规划
DNP已经启动了针对此款10纳米NIL模板的客户评估工作，并制定了明确的产品化路线图：计划于 2027年实现该模板的量产。公司将继续推进NIL技术的研发，并提升产能以满足市场需求，目标是在2030财年将NIL相关业务的销售额提升至40亿日元。这彰显了DNP将此项突破性技术从实验室推向商业化市场的决心。
关于DNP
DNP创立于1876年，现已成为全球领军企业，以印刷技术为根基开拓创新商业机遇，兼顾环境保护，致力构建更具活力的世界。公司依托微细加工与精密涂布核心技术，为显示设备、电子器件及光学薄膜市场提供产品。
推荐阅读：
高速公路监控新伙伴：华北工控发布“高速边缘大脑”，实现事件秒级识别
超低噪声、卓越性能！润石科技发布新款运算放大器RS8547/8系列
