【导读】日前，威世科技宣布，其D2TO35系列表面贴装厚膜功率电阻新增一款通过AEC-Q200认证的器件---D2TO35H，该器件具有更高的脉冲吸收能力，可达15 J/0.1 s。Vishay Sfernice D2TO35H采用TO-263（D2PAK）封装，在+25 °C壳温下功率耗散为35 W。
这些器件采用TO-263（D2PAK）封装，具有高达15 J/0.1 s的高脉冲吸收能力和35 W的功率耗散能力
2025年5月14日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其D2TO35系列表面贴装厚膜功率电阻新增一款通过AEC-Q200认证的器件---D2TO35H，该器件具有更高的脉冲吸收能力，可达15 J/0.1 s。Vishay Sfernice D2TO35H采用TO-263（D2PAK）封装，在+25 °C壳温下功率耗散为35 W。
日前发布的汽车级器件采用独特的设计，其能量吸收能力比标准D2TO35电阻高30%，从而增强对短瞬态脉冲的防护。因此，该器件在高压力环境下的运行更加稳定，在降低故障风险的同时，提高了整体系统可靠性，同时减少了所需的元件，这样不但节省占板空间，简化布局，而且降低了解决方案的总体成本。
D2TO35H的工作温度高达+175 °C，电阻值范围从1 W至14 kW（公差低至± 2 %），热阻为4.28 °C/W。该器件可用作控制器、48 V板网、BMS、燃料电池以及混合动力汽车（HEV）、电动汽车（EV）和低速电动汽车车载充电器的主动放电、放电或预充电电阻；能量监控和计量系统；农用车辆和农用设备；工业电机驱动、焊接设备和电动工具等等。
符合RoHS标准的电阻采用无电感设计，并且在270 °C/10 s条件下具有回流焊安全性。
D2TO35H现可提供样品并已实现量产，订货周期为10周。
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