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长光辰芯发布8K/16K背照式、高行频CMOS TDI 图像传感器

发布时间:2024-12-03 责任编辑:lina

【导读】长光辰芯(Gpixel)重磅发布两款高速、高灵敏度、背照式CMOS TDI图像传感器——GLT5008BSI/GLT5016BSI。此两款产品采用更优化的设计,具有更高的行频、更高量子效率,更好的片上集成度,更加匹配半导体晶圆检测、FPD检测、高通量基因测序、生物荧光成像等行业的应用需求。

 

长光辰芯发布8K/16K背照式、高行频CMOS TDI 图像传感器

8K/16K背照式 CMOS TDI 图像传感器


2024年12月2日,长光辰芯(Gpixel)重磅发布两款高速、高灵敏度、背照式CMOS TDI图像传感器——GLT5008BSI/GLT5016BSI。此两款产品采用更优化的设计,具有更高的行频、更高量子效率,更好的片上集成度,更加匹配半导体晶圆检测、FPD检测、高通量基因测序、生物荧光成像等行业的应用需求。


1M Hz高行频,更高数据吞吐量

助力高端仪器产业升级


GLT5008BSI和GLT5016BSI基于相同的架构进行设计,采用5um的电荷域TDI像素设计,片上集成两个谱段,积分级数分别为256级+32级。GLT5008BSI有效分辨率为8208像素,支持10bit和12bit ADC输出,最高行频分别可达1M Hz和500k Hz。GLT5016BSI有效分辨率为16416像素,其最高行频可达到500k Hz。两款产品最高输出数据率分别为86.4Gbps 和103.7Gbps, 均可采用100GiGE相机接口进行数据传输。两款产品均面向下一代更高通量、更高检出率的基因测序、半导体检测、屏幕检测等应用而开发,助力高端仪器装备行业产业升级。


更低读出噪声,更高灵敏度

为弱光成像提供解决方案


在高速成像中,往往积分时间都较短,在单位时间内捕捉到的信号有限,导致最终图像信噪比较差,无法满足用户在弱光下的需求,因此TDI图像传感器也成为了此类应用场景的理想解决方案。


GLT5008BSI/GLT5016BSI通过采用片上256级TDI积分设计进行信号累积,提升灵敏度。另外两款产品均采用了低噪声的像素设计和电路设计,其最小读出噪声低于7.7e-,最高动态范围66dB。通过优化设计,使其具有更强的anti-blooming能力以及大于0.99996的电荷转移效率(CTE)。以上特性,使得两款产品在全速工作下获得更高的信噪比。


定制化ARC,更宽光谱响应

赋能各行各业


根据被检测目标的不同特征,往往使用的照明光源或者激发光源的谱段均不相同,如在半导体晶圆检测中,其最常用光源为紫外光源,以193nm、266nm为典型波长。在基因测序中,不同碱基在不同激发光下的发射波长不同,其光谱范围可涵盖从可见光到近红外,因此无法使用一种完全相同的ARC设计来满足不同的应用要求。


GLT5008BSI/GLT5016BSI根据不同应用进行ARC优化设计,分别为紫外谱段优化设计(UV)以及可见光优化设计(VIS)。在UV版本下,其在300nm以下的峰值量子效率可达80%以上;在266nm下,其量子效率可到65%以上;在VIS版本下,峰值量子效率可高达92.4% @ 440nm。此外,除以上两种ARC外,也可根据用户需求,提供不同谱段ARC定制服务。


长光辰芯发布8K/16K背照式、高行频CMOS TDI 图像传感器


GLT5008BSI和GLT5016BSI采用了片上时序设计,进一步简化了相机设计,且最高功耗仅为4.2W(1M Hz)/6.4W,结合定制化的陶瓷封装,使其具有更好的可靠性和散热性。


GLT5008BSI和GLT5016BSI工程样片即日起接受订购。


长光辰芯发布8K/16K背照式、高行频CMOS TDI 图像传感器

GLT5008BSI


长光辰芯发布8K/16K背照式、高行频CMOS TDI 图像传感器

GLT5016BSI


来源:长光辰芯


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