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强茂攻SiC 明年业绩有望成为未来新星

发布时间:2020-11-23 责任编辑:lina

【导读】二极体厂强茂持续拓展资料中心、电动车等高阶市场,传出已经开始扩大布局碳化硅(SiC)等第三代材料半导体市场,并已经在2020年第二季开始送样SiC二极体,第四季更将送样给客户更加高阶的遮罩闸沟槽式(Shield Gate Trench)MOSFET产品,营运效益将有望在2021年开始发酵。

二极体厂强茂持续拓展资料中心、电动车等高阶市场,传出已经开始扩大布局碳化硅(SiC)等第三代材料半导体市场,并已经在2020年第二季开始送样SiC二极体,第四季更将送样给客户更加高阶的遮罩闸沟槽式(Shield Gate Trench)MOSFET产品,营运效益将有望在2021年开始发酵。
 
强茂攻SiC 明年业绩有望成为未来新星
 
电动车发展迅速,目前除车内电子设备增加需要大量二极体及MOSFET外,应用在电动车充电线材及电动桩等更是大量增加,由于SiC具备高耐压及低抗阻等特性,可让电源转换效率更佳,换句话说充电速率将会更加迅速。
 
强茂近年来不断向高阶市场发展,市场传出,强茂正大力拓展SiC等第三代材料材半导体市场,且成功开发出SiC二极体并在第二季进入送样程序,第四季将会送样60-150V的Shield Gate Trench MOSFET,预期最快有机会在2021年开始量产出货。
 
法人指出,SiC二极体除未来将会被大量应用在电动车市场之外,资料中心、工控等高阶市场亦可望成为採用SiC的主要领域,随著SiC市场未来将可望成为未来新星,强茂将有望藉此抢攻大量商机。
 
据了解,强茂除掌握第三代材料半导体技术SiC外,同时也开始全力抢攻650-1200V的绝缘栅双极电晶体(IGBT)产品,目标同样是瞄准高阶工控市场。法人指出,强茂目前在2021年规划15亿元的资本支出抢攻高阶市场,将有助于整体毛利率向上成长。
 
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