【导读】全球半导体产业迎来里程碑式进展。台积电中科Fab 25厂（原规划为F25厂）的基桩工程将于2025年11月5日正式动工。这一关键节点的启动，标志着业界瞩目的1.4纳米（A14）制程迈入实质建设阶段，为首座厂房预计在2028年下半年实现量产奠定了坚实基础。
全球半导体产业迎来里程碑式进展。台积电中科Fab 25厂（原规划为F25厂）的基桩工程将于2025年11月5日正式动工。这一关键节点的启动，标志着业界瞩目的1.4纳米（A14）制程迈入实质建设阶段，为首座厂房预计在2028年下半年实现量产奠定了坚实基础。
规划升级与产能布局
中科管理局已确认，台积电在中科二期园区的新厂规划，已从原先的2纳米制程升级为更先进的1.4纳米制程。该厂区计划建设四座晶圆厂，致力于打造全球最大的AI与高性能计算（HPC）芯片生产基地。新厂初估营业额可望超过5000亿元新台币，并将带动8,000至10,000个就业机会。
地缘战略与制程竞赛
此次制程规划的升级与快速推进，背后有地缘战略的深远考量。根据经济部投审会的 "N-1"规范，台积电必须在中国台湾本土实现最先进制程量产后，其美国工厂才能展开下一世代制程的量产。为应对美国客户对2纳米及1.6纳米制程在2027年量产的迫切需求，台积电必须同步加快中科1.4纳米和高雄1.6纳米厂的建厂进程。供应链指出，中科1.4纳米厂正面临着巨大的量产压力。
未来展望：1纳米的想象空间
面对南科沙仑园区可能无法满足美国对更先进制程的时效要求，供应链传出，台积电中科四座厂房中的第四座厂，不排除将作为A10（1纳米）制程的试产线。这一前瞻性布局若成真，不仅将确保符合" N-1"规范，更能持续巩固台积电在全球尖端半导体制造领域的绝对领先地位。
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