【导读】全球AI算力需求持续高涨，引发高带宽内存（HBM）争夺战。三星电子已确认其2025年HBM产能全部售罄，并正积极考虑扩建生产线，以应对源源不断的客户订单。
全球AI算力需求持续高涨，引发高带宽内存（HBM）争夺战。三星电子已确认其2025年HBM产能全部售罄，并正积极考虑扩建生产线，以应对源源不断的客户订单。
这一供应紧张局面并非个例。存储大厂SK海力士此前也表示其HBM产品已售罄，订单能见度已达2026年第一季度。行业巨头集体“缺货”，凸显出HBM市场正处于严重的供不应求状态。
供应紧张波及传统产品，存储市场格局生变
为满足激增的HBM需求，三星正将产能集中投向HBM和DRAM领域。这种产能分配的倾斜，已对传统存储产品的供应产生影响。
三星表示，由于资源向HBM倾斜，面向移动设备和PC的传统存储产品供应将受到限制。同时，整个行业将传统产线转向先进制程节点的趋势，导致自2025年下半年以来，传统存储产品价格大幅上涨。业界预计，这种供应紧张的局面可能会持续到明年。
认证取得进展，携手巨头共同开发HBM4
尽管三星未在财报电话会议上明确证实英伟达是否已对其HBM3E产品给予最终认证，但公司透露已开始向英伟达供应HBM3E产品，并正将销售扩展至所有客户。这一表述被业界普遍解读为其HBM3E已获得英伟达供货认证的明确信号。
合作关系不止于当前产品。三星与英伟达宣布将共同开发下一代HBM4内存。此外，作为合作的一部分，双方将携手打造“AI工厂”，利用超过5万颗英伟达GPU优化三星的整个半导体制造流程。
推出高性能企业级SSD，押注AI存储全赛道
除了在HBM领域积极布局，三星电子也开始供应专为AI工作负载设计的高性能存储解决方案PM9E1 SSD。
这款SSD专为NVIDIA DGX Spark设计，结合了三星电子自主研发的5nm主控和第八代V-NAND技术，最大顺序读写速率分别高达14.5GB/s和13GB/s。公版DGX Spark搭载了具有自加密功能的4TB M.2 NVMe SSD，显示出三星在AI存储全赛道布局的决心。
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