【导读】随着三星、SK海力士等原厂将产能大规模转向HBM（高带宽内存）和服务器DRAM，DDR4、LPDDR4X等传统制程产品陷入严重短缺，部分型号甚至出现“一天一个价”的极端行情。摩根士丹利、花旗与高盛三大投行最新报告指出，本轮涨价并非短期波动，而是AI需求爆发叠加产能转移引发的结构性“超级周期”，预计将持续至2026年。
随着三星、SK海力士等原厂将产能大规模转向HBM（高带宽内存）和服务器DRAM，DDR4、LPDDR4X等传统制程产品陷入严重短缺，部分型号甚至出现“一天一个价”的极端行情。摩根士丹利、花旗与高盛三大投行最新报告指出，本轮涨价并非短期波动，而是AI需求爆发叠加产能转移引发的结构性“超级周期”，预计将持续至2026年。
三大投行最新观点：一致看好存储芯片上涨行情
1. 摩根士丹利：Q4报价涨幅超预期，涨价周期延长
摩根士丹利最新半导体行业分析显示，第四季度DRAM与NAND Flash合约价涨幅预计高达25%-30%，显著高于此前市场预期。这一预测基于两大核心因素：
●AI算力投资激增：谷歌、亚马逊、Meta、微软等科技巨头2025年AI基础设施投入规模达4000亿美元，大幅推升企业级存储需求。
●供应端产能挤压：HBM生产消耗的晶圆产能是标准DRAM的3倍以上，原厂将产能优先分配至高利润的HBM与DDR5，导致传统产品供应缺口持续扩大。
2. 花旗：AI推理需求爆发，2026年供需缺口将进一步扩大
花旗集团报告强调，随着AI投资重心从训练向推理阶段转移，DRAM需求增速将进一步加速。报告核心判断包括：
●推理芯片需求激增：AI推理任务对内存带宽和容量要求更高，推动服务器DRAM用量提升至传统服务器的8倍。
●长期供应紧张：花旗预计2026年存储市场将陷入供不应求，DDR4紧缺态势至少延续至明年上半年。
●价格倒挂现象凸显：目前DDR4 16Gb 3200现货价已飙升至13美元，反超DDR5价格一倍，反映供应结构失衡极端化。
3.高盛：对冲基金大举加仓，看好AI硬件投资浪潮
高盛10月报告指出，全球对冲基金对AI技术硬件的敞口已达2016年以来最高水平，资金正从电力公司转向半导体板块。核心观点包括：
●资本开支上调：高盛预计阿里巴巴2026-2028财年资本开支将达4600亿元，较原目标提升21%，推理需求是核心驱动力。
●中国云厂商积极布局：字节跳动“豆包”日均token消耗量居行业前列，阿里Qwen模型获Airbnb等国际企业采用，本土AI生态成熟加速存储需求落地。
行业现状：全面缺货与价格失控
●原厂暂停报价，供应链陷入恐慌
美光科技已于9月全面暂停DDR4/DDR5报价，闪迪率先提价10%，三星与SK海力士跟进上调第四季度价格最高30%。供应链人士透露，目前原厂报价有效期缩短至24小时，部分产品直接停止报价。
●终端成本压力急剧传导
小米创始人雷军公开表示“内存涨价实在太多”，Redmi K90系列因存储成本上涨调价100-400元；威刚董事长陈立白判断，第四季度才是存储大多头的起点，缺货态势将延续至2026年。
●HBM成为产能争夺焦点
据Yole Group预测，2025年HBM营收将接近340亿美元，2030年占DRAM总营收比重超50%。三星、SK海力士已将DDR4产能占比压缩至20%以下，全力保障HBM及服务器DRAM供应。
未来趋势：结构性行情延续，国产替代迎机遇
1. 技术迭代加速：DDR5在服务器领域渗透率将于2025年达85%，原厂全面停产DDR4倒逼下游厂商切换至新标准。
2. 国产替代窗口开启：海外巨头产能转向为国内企业创造机遇，江波龙、佰维存储等模组厂积极囤货，香农芯创企业级SSD通过服务器平台认证。
3. HBM产业链突破：赛腾股份HBM检测设备获海外大客户批量订单，中微公司先进封装设备覆盖HBM工艺环节，国产技术链持续完善。
总结：超级周期重塑存储产业格局
本轮存储芯片涨价潮本质是AI算力革命引发的供需重构，而非传统周期性波动。三大投行一致认为，在HBM产能挤占、原厂减产与AI推理需求爆发的三重驱动下，高景气度至少延续至2026年上半年。对于下游厂商而言，签订长协、加速DDR5切换与挖掘国产供应链潜力，将成为应对“缺货新常态”的关键策略。
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