【导读】全球存储芯片市场正经历一场由人工智能（AI）驱动的“完美风暴”。2025年第四季度，三星电子和SK海力士两大存储巨头已正式通知客户，将DRAM和NAND Flash芯片价格上调最高达30%。
全球存储芯片市场正经历一场由人工智能（AI）驱动的“完美风暴”。2025年第四季度，三星电子和SK海力士两大存储巨头已正式通知客户，将DRAM和NAND Flash芯片价格上调最高达30%。
这一轮涨价并非短期波动，而是标志着存储产业结构性转变的开始。其核心驱动力在于AI基础设施投入的疯狂扩张，尤其是AI服务器对高带宽内存（HBM） 的需求呈现“井喷式增长”。单个AI服务器所需的存储容量，是传统服务器的8-10倍，极大地消耗了全球晶圆产能。
涨价根源：HBM产能挤占与库存危机
本次存储芯片涨价的根源在于深刻的供需失衡，主要体现在以下三个方面：
●HBM虹吸效应：HBM作为AI服务器的“专属高能口粮”，其生产消耗的晶圆产能是标准DRAM的3倍以上。为追求更高利润（HBM毛利率高达50%-60%），三星、SK海力士和美光等巨头纷纷将先进产线资源转向HBM和DDR5，大幅挤压了传统DRAM（如DDR4）的产能。巨头们已陆续宣布停产或大幅削减DDR4产能。
●库存降至历史低位：行业数据显示，DRAM的库存周期已从2023年年初的31周骤降至2025年10月的8周，远低于10-12周的健康水平，创下历史新低，加剧了市场的供应紧张。
●价格飞涨：现货市场反应更为剧烈，例如主流DDR4内存的现货价在短短半年内飙升了超过300%，甚至出现了本应被淘汰的DDR4价格反超新一代DDR5的反常现象。
未来展望：涨价持续与行业变革
多项数据和行业预测表明，此次存储芯片的上涨周期可能比以往更持久。
●涨价趋势延续：威刚董事长陈立白判断，第四季度仅仅是存储严重缺货的起点，明年存储产业将继续处于供货吃紧状态。花旗、摩根士丹利等机构也已上调第四季度DRAM价格增长预测。
●HBM市场前景广阔：摩根大通预测，到2027年，HBM将占到DRAM总产值的43%。另据预测，到2030年，HBM市场规模将扩大至今年的三倍，达到1000亿美元。技术也在飞速迭代，明年出货的12层HBM4单价预计将达到500美元，较HBM3e显著提升。
●采购模式变革：为应对“越涨越缺”的局面，下游客户采购策略发生根本性变化。多家国际电子和服务器公司正与原厂磋商“2-3年”的中长期供货协议，摒弃了以往按季度或年度签约的传统，这反映了市场对长期供应紧张的预期。
总结
存储芯片市场正经历由AI技术革命驱动的深度重构。巨头涨价30%只是表象，背后是HBM崛起导致的产能分配革命和库存危机。在这一背景下，率先签订长期协议、锁定资源的客户，将在未来的供给紧张期中占据优势。
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