【导读】长江存储三期项目于2025年9月正式注册成立，注册资本高达207.2亿元，并宣布以实现100%国产设备为目标，成为中国半导体自主化进程中的里程碑事件。这一决策源于外部限制下的必然选择——二期工厂因设备供应受阻，月产能从10万片骤降至4万-5万片。三期厂规划月产能10万片，若顺利投产，长江存储总产能将突破30万片/月，直逼全球第三大NAND厂商美光。

长江存储三期项目于2025年9月正式注册成立，注册资本高达207.2亿元，并宣布以实现100%国产设备为目标，成为中国半导体自主化进程中的里程碑事件。这一决策源于外部限制下的必然选择——二期工厂因设备供应受阻，月产能从10万片骤降至4万-5万片。三期厂规划月产能10万片，若顺利投产，长江存储总产能将突破30万片/月，直逼全球第三大NAND厂商美光。

一、国产设备联盟：从“点状突破”到“系统集成”

目前，长江存储已构建覆盖全流程的国产设备供应链：

• 刻蚀与薄膜沉积：北方华创2025年上半年获超50亿元刻蚀设备订单，在国产产线中占比超40%；中微公司刻蚀设备支持千层堆叠技术，单价提升30%。

• 检测与封装：精测电子存储检测设备国产化率超60%；通富微电作为混合键合唯一合作伙伴，堆叠良率突破90%。

• 材料与零部件：安集科技CMP抛光液打入232层产线；北京和崎的晶圆传输设备EFEM实现国产替代。

关键进展：首条全国产试产线将于2025年下半年启动，采用Xtacking 4.0架构，通过双层堆叠实现等效294层结构。

二、国产化率真相：光刻与量测仍是短板

尽管国产设备在刻蚀、清洗等领域国产化率超30%，但核心环节仍依赖海外：

• 光刻环节：国产化率仅0-1%，极紫外光刻（EUV）技术尚未突破。

• 量检测设备：中科飞测等企业仍处亏损阶段，检测精度与国际巨头存在代差。

• 材料领域：ArF光刻胶（南大光电）虽通过28nm验证，但产能不足5000吨。

  
  

三、商业化挑战：良率与成本的双重博弈

业界对100%国产化持审慎态度，原因在于：

1. 良率差距：国产设备短期稳定性不足，摩根士丹利估计当前国产化率约45%，良率较国际水平低5-10个百分点。

2. 成本压力：国产试产线需3-5年磨合期，期间维护成本可能高出国际标准30%。

3. 生态协同：九大类设备需系统集成，如混合键合技术依赖通富微电与长江存储的深度调试。

四、战略意义：重构全球存储产业格局

若三期厂成功量产，将带来三重变革：

• 技术话语权：长江存储凭借混合键合专利，已与三星、SK海力士签署授权协议。

• 市场冲击：月产能升至30万片后，全球NAND价格话语权将向中国倾斜。

• 产业链拉动：设备国产化率每提升10%，可降低晶圆成本8%-12%。

结语

长江存储三期厂是一场“豪赌”，其成败不仅关乎一家企业的生存，更承载着中国半导体设备全链条的突围希望。短期需接受良率与成本的阵痛，长期则有望通过系统创新改写全球存储产业规则。

推荐阅读：

Win10停服引爆全球PC换机潮，Q3出货量增长超8.1%

性能猛兽再升级！闪迪WD_BLACK SN8100 8TB版本正式发售

画质革命！LG联手KAI打造Micro LED飞行模拟器，视觉体验全面升级

三星、SK海力士DRAM价格上调30%，客户转向中长期合约

从3nm到2nm：芯片成本激增280美元，智能手机涨价潮将至