【导读】全球存储芯片市场正经历一场由AI驱动的“完美风暴”，供需失衡推动价格飙升，促使客户纷纷与头部厂商签订2-3年的长期供应协议以锁定产能。
全球存储芯片市场正经历一场由AI驱动的“完美风暴”，供需失衡推动价格飙升，促使客户纷纷与头部厂商签订2-3年的长期供应协议以锁定产能。
人工智能的快速发展催生了对高带宽内存和通用DRAM的爆炸性需求，而全球存储芯片巨头三星电子和SK海力士正将产能优先分配给利润更高的HBM，导致通用DRAM供应紧张。
面对可能持续数年的供应短缺，大型电子公司、IT企业和数据中心运营商正放弃传统的季度或年度合约，转而与两大巨头洽谈长达2-3年的中期供应合同。
01 市场现状：DRAM供应紧张的根源
AI浪潮下，存储芯片市场的供需结构发生了根本性变化。
HBM产能挤占是核心因素。三星电子和SK海力士共同掌控着全球超过70% 的通用DRAM市场，但现在它们正将投资和生产重心转向HBM。
HBM与通用DRAM的产能矛盾十分突出。半导体行业人士解释，假设一块DRAM晶圆能生产100个通用DRAM单元，同样的晶圆用于生产HBM，产量只有大约一半。
这种产能分配的直接结果是通用DRAM产能下降。随着HBM在DRAM生产线中的份额不断提升，通用DRAM的出货量必然受到限制。
02 价格动态：全线上涨的存储市场
存储芯片市场的价格变动直观反映了供需关系的变化。
DRAM价格大幅攀升。根据DramExchange的数据，通用DRAM产品DDR4 8Gb的现货价格已达7.3美元，这是自2017年10月以来的最高点。
更惊人的是价格涨幅。从4月的2美元到10月的7.3美元，DDR4价格在短短六个月内飙升了265%。
涨价趋势仍在延续。三星和SK海力士已在第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调最高达30%。
花旗、摩根士丹利等全球投资银行已将第四季度DRAM平均销售价格的增长预测上调了超过10个百分点，预计最高涨幅可达25%至26%。
03 采购变革：从中长期合约到库存策略
面对市场变化，采购策略也在发生显著转变。
传统的短期合约模式被打破。通常情况下，电子和IT制造商或服务器公司会按季度或年度签订DRAM供应合同，以保持库存灵活性。
中长期合约成为新趋势。现在，由于预测显示通用DRAM短缺将持续，部分美国和中国电子产品及IT公司以及数据中心运营商，正在与三星和SK海力士谈判2-3年的中长期DRAM供应合同。
采购策略转向积极主动。越来越多的企业正采取行动提前锁定供应。一些服务器客户已在讨论2027年及以后的订单。
04 行业前景：分析师看好长期繁荣
业内专家普遍认为，此轮存储芯片市场的繁荣将比以往周期更为持久。
“十年一遇的繁荣期”。UBS等全球投资银行分析指出，内存半导体市场已进入一个难得的繁荣阶段，并将第四季度DRAM固定交易价格增长率预测从5%上调至17%。
短缺可能持续三到四年。有分析师预测，由AI驱动的内存短缺状况可能持续三到四年，这比以往任何繁荣周期都更长。
HBM市场增长强劲。半导体行业预计，到3030年，HBM市场规模将达到今年的三倍，达到1000亿美元。
供应链问题短期内难以解决。美光首席商务官Sumit Sadana指出，由于工厂扩建需要时间，极端的供应短缺情况将在2025年进一步加剧。
05 企业业绩：存储巨头盈利看涨
存储芯片市场的繁荣直接提升了相关企业的业绩预期。
三星和SK海力士营业利润预计大幅增长。KB证券研究员Kim Dong-won估计，三星电子和SK海力士2026年的合并营业利润可能达到12.8万亿韩元，较前一年增长64%。
HBM盈利能力显著。三星电子第三季度的业务表现显示，其标准DRAM业务营业利润率约为40%，而HBM业务则高达60%。
但随着通用存储产品供应紧张和价格持续上涨，利润格局可能发生变化。有预测认为，若当前趋势持续，2026年非HBM产品的利润有机会超越HBM。
AI引发的存储芯片超级周期正推动行业发生根本性变革。随着HBM产能持续挤占通用DRAM资源，供需失衡局面短期内难以缓解，价格上行趋势可能延续至2026年。
在这一背景下，2-3年长期供应合约将成为更多企业的选择，而三星和SK海力士等存储巨头将从这场“完美风暴”中显著受益。对于下游企业而言，如何确保存储芯片稳定供应，已成为AI时代战略规划的核心议题。
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