【导读】全球DRAM市场正面临严重的供应紧张。根据TechInsights的统计数据，2025年第三季度DRAM平均库存已降至仅8周，远低于去年同期的10周和2023年初的31周水平。
库存见底：DRAM市场供需失衡加剧
全球DRAM市场正面临严重的供应紧张。根据TechInsights的统计数据，2025年第三季度DRAM平均库存已降至仅8周，远低于去年同期的10周和2023年初的31周水平。
这一库存数据明显低于半导体行业通常认为的10-12周健康库存水平，显示市场供应正快速吃紧。库存急剧下降的主要原因是AI热潮吸引存储大厂将产能优先分配给高带宽内存（HBM），导致智能手机、电脑和服务器采用的一般DRAM产品供应严重受限。
价格飙升：全线存储产品进入涨价通道
随着库存下降，存储产品价格全线飙升。2025年9月DRAM现货价同比暴涨近一倍，涨幅远高于4月份时的4%年增幅。
这一波涨势的独特之处在于其全面性。威刚科技董事长陈立白指出，这是DRAM、NAND Flash、SSD、HDD四大存储产品首次同步短缺与涨价，在其三十余年从业经历中前所未有。韩国主要内存供应商已在今年第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调高达30%。
周期转换：从HBM到非HBM的利润演变
AI驱动的HBM扩张正在重塑存储产业的利润格局。三星电子第三季度的业务表现清晰显示了这一趋势：其标准DRAM业务营业利润率约为40%，而HBM业务则高达60%。
然而，随着一般存储产品供应紧张和价格持续上涨，利润格局可能正在改变。韩国KB证券研究主管Jeff Kim预测：“若当前趋势持续，明年非HBM产品的利润有机会超越HBM。” 美光公司也预期，2026年HBM与非HBM两大业务都将维持健康获利水准。
市场反应：从恐慌抢购到成本转嫁
面对供应紧张和价格上涨，下游企业已进入恐慌性采购模式。半导体分销商Fusion Worldwide总裁Tobey Gonnerman表示：“过去一两个月记忆体需求激增，市场变化极快。许多客户采取双倍或三倍下单策略。”
存储价格上涨已开始向消费端传导。英国电脑品牌Raspberry Pi近日宣布涨价，理由是记忆体成本较去年上涨了120%。这一现象表明，存储成本上涨的压力正逐渐转嫁给终端消费者。
