【导读】全球存储巨头三星电子已正式通知客户，计划在2025年第四季度上调移动端DRAM和NAND Flash合约价。其中LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品涨幅达15%-30%，eMMC/UFS等NAND闪存产品涨幅为5%-10%。
全球存储巨头三星电子已正式通知客户，计划在2025年第四季度上调移动端DRAM和NAND Flash合约价。其中LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品涨幅达15%-30%，eMMC/UFS等NAND闪存产品涨幅为5%-10%。
这一决策反映了存储市场供需结构的根本性转变。随着AI应用从训练向推理和边缘设备延伸，大容量存储需求激增，而三大原厂将产能优先分配给HBM和DDR5，导致传统存储产品供应紧张。
01 涨价详情与市场背景
三星此次价格调整针对移动端存储产品，包括LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品，以及UFS/eMMC等NAND闪存产品。价格调整计划于2025年第四季度实施。
这一轮涨价潮中，三星并非唯一行动者。美光已暂停报价并计划调涨多类内存产品价格；闪迪（SanDisk）也宣布对部分NAND闪存领域涨价10%；西部数据则表示将逐步上调所有机械硬盘价格。
存储市场的这一波“涨声”源于供需失衡。AI应用推广导致AI服务器和AI PC对存储需求大增，而存储厂商将产能转向高带宽内存（HBM）和DDR5，减少了传统存储产品的供应。
02 供需失衡的结构性分析
当前存储市场供需失衡具有明显的结构性特征。HBM需求激增是导致供应紧张的关键因素之一，主要DRAM厂商正优先保障英伟达、AMD等AI加速器厂商的HBM产品供应。
DDR4内存的供需矛盾尤为突出。随着厂商将产能转向DDR5和HBM，DDR4供应减少，但市场需求并未立即消失，导致其价格持续上涨。
据集邦科技预估，2025年第三季DDR4市场供需缺口约为3%，且这一缺口可能持续扩大，缺货状况可能延续至2026年第四季度。
NAND Flash市场同样面临供应紧张。基于AI海量数据存储建置的需求，加上硬碟缺货与交期延长，大量订单转向企业级固态硬碟，造成NAND Flash短缺。
03 产业链影响与连锁反应
存储涨价潮已引发产业链连锁反应。台系存储厂商直接受益于这一波涨价趋势。
群联、华邦、南亚科、威刚、十銓、宇瞻等厂商股价已经出现上涨。威刚董事长陈立白表示，第三季度不论是DDR4或DDR5，客户订单能见度持续乐观。
存储封测族群也因此受益。力成、南茂、华泰等封测厂已获得主要客户追加投片，订单能见度延伸至年底。受HBM需求爆发影响，相关堆叠与测试订单涌向台系封测业者。
花旗集团预测，2026年DRAM和NAND闪存的供应将分别短缺1.8%和4%。摩根士丹利则预测，明年NAND的供应短缺可能高达8%。
04 市场展望与未来趋势
多家分析机构对存储市场前景持乐观态度。摩根士丹利一改此前对半导体市场的悲观态度，近期发布报告预测“人工智能超级周期将带来好处”，并将三星电子列为内存领域的“首选股”。
该行预测，到2026年，内存市场的供需严重失衡将导致价格上涨。与人工智能相关的服务器和移动DRAM需求将出现爆发式增长，预计2025年第四季度DRAM平均售价将上涨9%。
群联执行长潘健成认为，随着云端大厂与企业投入上千亿美元建置GPU，庞大的运算能量背后伴随的是海量数据存储需求，预计“明年Flash一定会缺货”。
随着AI应用的推广和AI推理的需求增长，存储行业需求可能将从企业级向利基市场扩散，即AI将带来存储市场的全面繁荣。
存储市场的这一轮涨价周期可能将持续到2025年底甚至2026年上半年。随着产能持续向HBM和DDR5转移，传统存储产品的供应紧张局面难以迅速缓解。
AI推动的存储需求结构变化不再是短期波动，而是产业根本性变革的开始。
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