【导读】全球NAND闪存市场正经历一场前所未有的供应紧张和价格上涨浪潮。2025年9月，主要存储芯片制造商纷纷采取暂停报价和调价策略，美光科技率先宣布暂停所有存储产品报价一周，随后群联电子也跟进类似策略。
2025年第三季度，全球NAND闪存市场迎来全面涨价潮，美光、三星等国际巨头相继调高报价，群联电子恢复部分客户报价并上调10%，标志着存储市场正式进入新一轮上涨周期。
全球NAND闪存市场正经历一场前所未有的供应紧张和价格上涨浪潮。2025年9月，主要存储芯片制造商纷纷采取暂停报价和调价策略，美光科技率先宣布暂停所有存储产品报价一周，随后群联电子也跟进类似策略。
此次市场价格波动主要源于AI技术广泛应用带来的企业级存储需求激增，以及原厂产能调整带来的供应限制。集邦科技分析师指出，AI创造的庞大数据量正冲击全球数据中心存储设施，作为传统海量数据存储基石的Nearline HDD已出现供应短缺，促使高效能、高成本的SSD逐渐成为市场焦点。
01 市场价格动态：全面上涨趋势明显
NAND闪存市场价格呈现普涨趋势。根据行业数据，2025年上半年全球NAND Flash市场综合价格指数上涨9.2%，全球DRAM市场综合价格指数更是大幅上涨47.7%。
具体到近期变化，美光科技已向渠道商发出通知，宣布其存储产品价格将上涨20%-30%。所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价。闪迪(Sandisk)则在4月全系涨价10%之后，再次宣布针对全部渠道通路和消费类产品的价格执行10% 的普涨。
DigiTimes 9月17日发布的数据显示，2025年第四季度NAND和DRAM的合约价格预计上涨15-20%，打破了以往年末价格下行的传统周期。
02 龙头企业动作：美光三星领涨，群联跟进
国际存储巨头纷纷调整市场策略。美光科技已暂停NAND闪存和DRAM报价一周，市场消息人士预测其NAND闪存价格可能上涨高达30%。这一举动与2026年起云服务提供商存储需求的预期增长有关。
三星电子近期也通知客户，计划调升第四季度部分DRAM与NAND Flash报价，其中DRAM合约价涨幅最高上看三成，NAND相关产品则要涨5%至10%。消息指出，三星将调涨LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品合约价15%至30%，NAND相关产品价格则要涨5%至10%。
群联电子作为控制器专家，已对部分客户恢复报价，执行长约价格。公司执行长潘健成表示，随着NAND Flash供应商持续透过减产调控市场价格，近期已有部分供应商调升报价。
03 需求驱动因素：AI应用推动存储需求暴涨
AI应用是此次存储需求增长的核心驱动力。企业级存储需求呈现指数级增长，直接拉动了NAND Flash（尤其是3D TLC/QLC类型）的采购量。集邦咨询指出，基于AI海量资料存储建置，硬碟缺货加上超长交期，目前大量订单转向企业级固态硬碟，造成NAND Flash短缺。
云端服务提供商的服务器建置持续发酵，因此在存储器端的采购需求相当强劲，包含了DRAM与NAND Flash产品。在此供不应求的市场情况下，NAND Flash先释出涨价信息后，DRAM供应商端也出现了暂停报价的举动。
端侧AI设备的发展也为存储市场带来新需求。随着AI模型持续迭代，端侧化与轻量化成为核心方向。大模型的规模化扩展依赖云端和终端的协同工作，通过云端搭配终端进行AI计算工作负载的分流。
04 供应端状况：产能调整与技术挑战并存
供应端面临多重挑战。原厂减产是导致供应紧张的重要因素之一。2025年以来各大存储厂商相继发布减产计划，如美光预计减产10%，三星预计减产15%，海力士预计上半年减产10%。
技术转型也影响了市场供应。多家大厂将传统DRAM产能逐步转向利润更高的DDR5和高带宽存储器(HBM)等高端产品，导致旧制程DRAM产品(如DDR4)供应趋紧。
技术问题同样困扰着一些厂商。消息称，第9代V-NAND QLC闪存存在设计缺陷，导致出现性能问题，三星不得不将大规模生产的时间延后，推迟到2026年上半年。
05 市场影响：产业链各环节受波及
涨价潮已传导至全产业链。存储模组厂商面临成本压力。威刚董事长陈立白指出，第3季不论是DDR4或DDR5，客户订单能见度持续乐观。群联执行长潘健成则认为，随着云端大咖与企业投入上千亿美元建置GPU，庞大的运算能量背后伴随的是海量数据存储需求。
消费级市场也将受到影响。存储器模块厂商透露，尽管当前消费级SSD库存尚能支撑短期需求，但随着10月欧美消费旺季启动，终端市场需求将进一步释放。如果超大规模厂商正在吸收更多用于企业级SSD的晶圆，而DRAM制造商则优先考虑服务器部件和HBM，那么零售价格将会失去一些弹性。
企业用户面临采购成本上升。集邦科技预期，第4季DRAM与NAND Flash价格可望持续上涨。DRAM当中，DDR4因供给减少，价格飙涨，市场估计第3季供需缺口约3%，预期缺口可能扩大，并缺货到明年第4季。
06 未来展望：涨价趋势或持续至2026年
多家机构对存储市场前景持乐观态度。闪迪高管表示，预计在整个2026年NAND闪存领域都将面临供应不足的问题。闪迪强调NAND产业通过引入新工艺节点来降低成本以改善财务表现的时代已告终结，供需平衡在财务上的重要性进一步提升。
TrendForce预估，2025年第四季度企业级存储价格将实现个位数涨幅，手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。CFM闪存市场报告也指出，DRAM价格指数半年内上涨约72%，NAND涨价情绪高涨，预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情。
群联电子执行长潘健成表示，随着云端大咖与企业投入上千亿美元建置GPU，庞大的运算能量背后伴随的是海量数据存储需求，估"明年Flash一定会缺货"。
全球NAND闪存市场正在经历一场由AI驱动的结构性变革。从云服务商大量采购高性能存储产品，到存储厂商调整产能分配策略，整个产业链都在这场变革中重新定位。
随着AI应用从训练向推理端延伸，以及边缘计算需求的增长，高性能存储产品的需求将持续旺盛。2025年的存储涨价趋势很可能延续到2026年，成为存储市场的新常态。
对于消费者而言，这意味着未来几个月内存储产品价格可能保持高位，往年常见的冬季促销优惠可能会大幅减少。对于行业来说，AI正在改写存储市场的规则，技术创新与需求结构的变革将共同驱动市场进入一个新的发展周期。
推荐阅读：
AI投资暗藏风险：科技巨头真实资本开支被低估，2027年或引发价格战
DRAM内存迎涨价潮：10月涨幅预计双位数，供需紧张态势将延续至2026年底
Counterpoint：Q3前八周中国手机市场下降2%，全年预计持平
性能提升3.8倍！AMD发布ROCm 7.0，破解AI软件生态壁垒
