【导读】2025年第一季度，中国存储产业交出亮眼成绩单：DRAM晶圆产能同比增幅达70%，NAND闪存产量实现翻倍增长，技术节点突破270层。在三星、美光等国际巨头因市场波动调整产能之际，国内厂商通过技术升级与产能扩张，正加速重构全球存储芯片竞争格局。
2025年第一季度，中国存储产业交出亮眼成绩单：DRAM晶圆产能同比增幅达70%，NAND闪存产量实现翻倍增长，技术节点突破270层。在三星、美光等国际巨头因市场波动调整产能之际，国内厂商通过技术升级与产能扩张，正加速重构全球存储芯片竞争格局。
产能增长数据解析
DRAM领域：
●2025年第三季度晶圆投入量达72万片，较2024年同期（42万片）增长71.4%；
●年度总产量预计从2024年的162万片跃升至273万片，同比增幅68.5%。
NAND领域
●2025年第二季度产量13万片，同比激增116.7%（2024年同期6万片）；
●全年产量同比提升42%，3D NAND层数突破270层，紧追SK海力士（321层）与三星（286层）。
技术突破与市场影响
HBM高端赛道
●国内存储巨头已启动第四代HBM3量产认证，计划2025年底完成流程；
●同步规划HBM封装产线，目标两年内实现第五代HBM3E量产，直击AI算力芯片需求。
3D NAND性能跃升
●270层产品实现芯片尺寸与单位容量双重优化，每平方毫米存储密度达行业领先水平；
●通过层数增加替代传统缩微工艺，有效平衡成本与性能。
全球竞争格局演变
●DRAM市场：某国内厂商出货量预计2026年接近美光当前水平，挑战"三星-SK海力士-美光"三强格局；
●NAND市场：在三星等企业因价格下行减产背景下，武汉工厂自2024年起产能持续扩张，成为全球增量主力。
未来布局与挑战
●产能扩建：北京、合肥工厂进入新一轮扩产周期，重点布局HBM封装与先进制程；
●技术路径：同步推进DRAM制程微缩（1α/1β节点）与NAND层数突破，构建多维竞争力。
结语
中国存储产业正以"产能扩张+技术跃迁"双轮驱动，在DRAM与NAND领域实现从量变到质变的跨越。随着HBM3量产落地与3D NAND层数突破，国内厂商不仅将提升在中低端市场的份额，更有望在AI存储、数据中心等高端领域占据一席之地，为全球半导体产业注入新动能。
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