【导读】三星电子正加速推进平泽五号工厂（P5）的复工计划，这座停摆两年的超大型晶圆厂有望于2025年10月重启设备安装。项目总投资超30万亿韩元（约220.8亿美元），规划集成DRAM、NAND闪存及定制芯片产线，目标直指人工智能时代的高性能半导体需求。业内分析指出，三星在第六代10nm级DRAM与第五代HBM3E存储器领域的技术突破，成为推动项目重启的核心动力。
三星电子正加速推进平泽五号工厂（P5）的复工计划，这座停摆两年的超大型晶圆厂有望于2025年10月重启设备安装。项目总投资超30万亿韩元（约220.8亿美元），规划集成DRAM、NAND闪存及定制芯片产线，目标直指人工智能时代的高性能半导体需求。业内分析指出，三星在第六代10nm级DRAM与第五代HBM3E存储器领域的技术突破，成为推动项目重启的核心动力。
技术复苏：从低谷到领跑的关键跨越
困境反转：
2023年半导体行业寒冬中，三星内存业务营收同比暴跌32.3%至66.59万亿韩元，运营亏损达14.88万亿韩元，导致P5项目被迫搁置。面对技术路线争议，三星选择暂停投资，专注优化第六代DRAM架构与HBM3E堆叠工艺。
技术突破：
●HBM3E量产突破：2025年三星成功实现12层堆叠的HBM3E存储器量产，带宽达36GB/s，较竞品提升20%，重新夺回高性能存储领域技术话语权；
●第六代DRAM验证：基于10nm级工艺的16Gb DDR5内存完成客户验证，功耗降低30%，时延缩短至15ns，满足AI服务器苛刻需求。
市场驱动：AI芯片千亿赛道催生产能革命
需求爆发：
韩国进出口银行预测，全球AI半导体市场规模将从2022年的411亿美元激增至2028年的1330亿美元，年复合增长率达21.6%。其中，HBM存储器需求预计占AI芯片成本的40%以上。
战略卡位：
●P5工厂将部署极紫外光刻（EUV）产线，月产能规划达10万片晶圆，重点生产HBM3E及AI加速芯片；
●三星同步扩大CXL内存扩展技术投入，目标2026年实现每瓦性能较传统方案提升5倍。
项目现状：从停摆到加速的推进时间表
复工进度
●2025年7月：工程团队进场整理建材，启动基础设施检修；
●2025年10月：首批ASML EUV光刻机等重型设备进场安装；
●2026年Q2：完成产线调试，进入试生产阶段；
●2027年：全面量产，预计贡献年度营收增量超15万亿韩元。
产能规划
P5工厂将采用"多晶圆厂协同"模式，初期聚焦：
●第六代DRAM（10nm级）月产能4万片；
●HBM3E存储器月产能2万片；
●定制化AI芯片（5nm/3nm工艺）月产能1万片。
行业影响：重构半导体竞争格局
技术标杆效应：
三星若按计划实现HBM3E量产，将打破SK海力士在AI存储领域的垄断地位。机构预测，2026年三星在HBM市场的份额有望从目前的25%提升至40%。
产业链联动：
P5项目将带动韩国半导体设备、材料产业链升级，预计拉动三星电子及合作伙伴投资超50万亿韩元，创造就业岗位超2万个。
结语：押注AI时代的半导体基建
三星平泽P5工厂的重启，标志着存储巨头在经历行业低谷后，正以技术突破与产能扩张双重战略抢滩AI半导体红利。随着EUV产线落地与HBM3E量产，三星不仅有望重塑内存市场格局，更将加速AI芯片从云端到边缘的全场景覆盖，为全球半导体产业注入确定性增长动能。
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