【导读】英飞凌今日宣布，为提高碳化矽的供应安全，已和日本晶圆制造商昭和电工签订供应契约，供应包括磊晶在内的各种碳化矽材料（SiC），英飞凌因此可获得更多基材，以满足对SiC型产品日益渐增的需求。
英飞凌今日宣布，为提高碳化矽的供应安全，已和日本晶圆制造商昭和电工签订供应契约，供应包括磊晶在内的各种碳化矽材料（SiC），英飞凌因此可获得更多基材，以满足对SiC型产品日益渐增的需求。
英飞凌工业电源控制事业部总裁Peter Wawer表示，SiC半导体市场预计在未来五年内的年成长率可达30%-40%，与昭和电工合作扩大英飞凌的晶圆供应商基础，是在此一持续成长市场中多源策略重要的一步，将稳固地支援达成中长期的目标。此外，英飞凌也计画在策略开发材料方面与昭和电工合作，以提升品质并降低成本。
SiC可提供高效率与强固的功率半导体，特别专注于光电、工业电源供应器和电动车充电基础设备等领域；英飞凌拥有业界最大用于工业应用的SiC半导体产品组合，而英飞凌与昭和电工之间签订两年期的合约，且可续约。
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