【导读】南韩近期启动「X-band GaN国家计划」冲刺第三代半导体，三星积极参与。由于市场高度看好第三代半导体发展，台积电、世界等台厂均已卡位，三星加入南韩官方计划冲刺第三代半导体布局，也点燃半导体业新战火。
南韩近期启动「X-band GaN国家计划」冲刺第三代半导体，三星积极参与。由于市场高度看好第三代半导体发展，台积电、世界等台厂均已卡位，三星加入南韩官方计划冲刺第三代半导体布局，也点燃半导体业新战火。
第三代半导体主要和氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）两种材料有关，不少大厂都已先期投资数十年，近年随着苹果、小米及现代汽车等大厂陆续宣布产品采用新材料的计划，让第三代半导体成为各界焦点。
目前各大厂都运用不同的方式切入第三代半导体业务，除了传统的晶圆代工厂，整合元件厂（IDM）厂商，乃至于LED大厂晶电、砷化镓晶圆代工龙头稳懋都积极卡位。其中，晶电具有一条龙服务能力，稳懋日前宣布扩大南科投资百亿元的项目当中也包含该技术。
韩国政府出手，欲抢占先进功率半导体市场先机
近日，韩国政府发布了一份先进功率半导体研发和产能提升计划。
与传统芯片相比，功率芯片可以处理更大的电压和电流。目前韩国国内市场规模约为20亿美元，由于缺乏技术和专利，90%以上的市场需求依赖进口。
在民间部门的配合下，韩国政府计划到2025年将市场竞争力提升到全球水平，以便到那一年韩国至少有5种先进的功率半导体产品上市。致力于SiC、GaN、Ga2O3三种材料的应用技术和技术，克服硅酮材料的局限性，协助国内企业的材料和芯片研发工作。
韩国产业通商资源部在一份声明中表示，将与韩国国内的代工厂建立6 - 8英寸的制造工艺，以扩大相关的代工服务。
据悉，目前全球的功率半导体器件主要由欧洲、美国、日本三个国家和地区提供，他们凭借先进的技术和生产制造工艺，以及领先的品质管理体系，大约占据了全球60％的市场份额。英飞凌、意法半导体等不仅是欧洲的代表企业，更在全球名列前茅；美国则有安森美、威世、力特等为其扬名立万；日本也是功率半导体器件的主要玩家，瑞萨、东芝、富士电机、罗姆闻名全球。
“政府计划积极支持研发和基础设施建设，以抢占仍处于早期阶段的下一代功率半导体市场，并建立一个坚实的产业生态系统，”韩国产业通商资源部长官成允模在声明中表示。
如此一来，韩国加入美国、中国和日本等国家的行列，均宣布促进本土芯片产业发展的政策，包括功率半导体的制造。
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