【导读】记忆体市场供不应求，DRAM及NAND Flash第二季合约价出现明显涨势，其中，4月标准型DRAM合约价大涨逾25％，利基型DRAM合约价续涨13～21％，至于SLC NAND及MLC NAND合约价亦止跌回升5～10％幅度。
法人看好南亚科、华邦电第二季营收及获利大跃进，但因近期现货价涨势停歇，与合约价的溢价差明显缩小，模组厂第二季获利成长动能趋缓。
根据集邦统计及模组厂消息，4月DRAM及NAND Flash合约价呈现全面上涨走势。其中，标准型DRAM受惠于新冠肺炎疫情持续推动笔电出货动能，主流规模8GB DDR4模组合约均价由3月的26.0美元大涨至4月的32.4美元，8Gb DDR4颗粒合约均价由3.0美元大涨至3.8美元，单月涨幅高达25～27％。
同样在宅经济及伺服器换机需求带动下，4Gb DDR4／DDR3等利基型DRAM颗粒4月合约均价较上月大涨13％，缺货严重的2Gb DDR3颗粒合约均价涨幅高达21％，伺服器DRAM合约均价也有约20％涨幅。在NAND Flash部分，受惠于物联网、工控及安控等应用明显增温，4月SLC NAND合约均价普遍上涨5％，MLC NAND合约均价则上涨近10％。
包括三星、SK海力士、美光等三大记忆体厂近期召开法说会中，不约而同看好今年DRAM市场，由于数位转型带动5G智慧型手机、笔电及平板的强劲销售动能，加上伺服器升级至英特尔Ice Lake及超微EPYC 3的强劲需求涌现，业者看好今年DRAM全年供不应求，合约价将逐季涨价到年底。
集邦先前预估第二季标准型DRAM合约价涨幅将大幅上修至23～28％，伺服器DRAM上修至20～25％，由此来看，5月及6月的DRAM合约价仍有续涨空间。至于下半年进入旺季，在供不应求情况下，预期第三季合约价将续涨10～20％。
法人预期在DRAM价格逐季上涨推升下，拥有DRAM晶圆产能的南亚科及华邦电直接受惠。但因现货价3月中旬以来价格停滞，合约价调涨后的溢价差已明显缩小，对于以合约价买进DRAM货源但以现货价出货模组的模组厂来说，第二季获利成长动能恐趋缓。
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