【导读】 据外媒 HPCwire 消息，三星电子 3 月 24 日宣布成功开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组，使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺，可以提供超过 DDR4 内存一倍的性能表现，达到 7200Mb/s。
据外媒 HPCwire 消息，三星电子 3 月 24 日宣布成功开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组，使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺，可以提供超过 DDR4 内存一倍的性能表现，达到 7200Mb/s。三星表示，新款内存可以用于超级计算机、人工智能运算、数据分析等领域，保证性能释放。
HKMG 技术目前仅应用于 GDDR6 显存芯片，能够使用新的金属材料作为芯片中的绝缘层，减少漏电流，使得能耗降低 13%。三星这项技术在 DDR5 内存颗粒的应用，进一步确立了该品牌的领先地位。
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请电话或者邮箱联系小编进行侵删。
