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三星推出全球首款 HKMG 工艺 DDR5 内存,单条 512GB

发布时间:2021-03-26 责任编辑:lina

【导读】 据外媒 HPCwire 消息,三星电子 3 月 24 日宣布成功开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组,使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺,可以提供超过 DDR4 内存一倍的性能表现,达到 7200Mb/s。
 
据外媒 HPCwire 消息,三星电子 3 月 24 日宣布成功开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组,使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺,可以提供超过 DDR4 内存一倍的性能表现,达到 7200Mb/s。三星表示,新款内存可以用于超级计算机、人工智能运算、数据分析等领域,保证性能释放。
 
三星推出全球首款 HKMG 工艺 DDR5 内存,单条 512GB
 
HKMG 技术目前仅应用于 GDDR6 显存芯片,能够使用新的金属材料作为芯片中的绝缘层,减少漏电流,使得能耗降低 13%。三星这项技术在 DDR5 内存颗粒的应用,进一步确立了该品牌的领先地位。
 
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