【导读】因美光(Micron)桃园厂跳电意外，带动DRAM现货价提前于12月开始涨价，业界预期将带动明年第1季合约价止跌甚至小涨，DRAM模组厂亦可望受惠涨价效益，今以威刚(3260)、十铨(4967)领军上攻，低价的商丞(8277)也强攻涨停9.99元。
据市调机构集邦科技统计，12月以来，记忆体综合价格指数(DXI)已大涨逾二成，并预期明年第1季合约价止跌。除了制造厂南亚科直接受惠，下游的DRAM模组厂亦可受惠涨价效应。
据集邦科技观察，美光(Micron)桃园厂跳电意外，带动DRAM现货价提前于12月开始涨价，加上年底及农历年补货需求升温，推升DRAM现货价走扬，12月来现货价涨幅达1至2成。据集邦科技统计，12月来DXI已攀升26%。集邦预期，明年第1季在市场供需趋于健康，DRAM合约价也将止跌回稳，不排除有机会微幅上涨。
整体来看，今年从9月华为拉货事件后，DRAM供需已开始接近平衡，从12月初开始现货市场已开始涨价。
不过，集邦科技预期，2021年第一季NAND Flash仍供过于求，估季跌幅约10~15%。
业者则认为，2021年第一季NAND Flash现货市场有机会因终端需求增加，可能有短暂止跌或小涨状况发生。
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